|
N08L6182A даташитФункция этой детали – «8mb Ultra-low Power Asynchronous Cmos Sram 512k X». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
N08L6182A | ON Semiconductor |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K X 16bit N08L6182A
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM
512K × 16bit Overview
The N08L6182A is an integrated memory device containing a 8 Mbit Static Random Access Memory organized as 524,288 words by 16 bits. The device is designed and fabricated using ON Semiconductor’s advanced CMOS technology to provide both high-speed performance and ultra-low power. The device operates with two chip enable (CE1 and CE2) controls and output enable (OE) to allow for easy memory expansion. Byte controls (UB and LB) allow the upper an |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |