DataSheet26.com


N04Q16YYC2B даташит

Функция этой детали – «4mb Ultra-low Power Asynchronous Cmos Sram W/ Dual».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
N04Q16YYC2B NanoAmp Solutions
NanoAmp Solutions
  4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM w/ Dual Vcc and VccQ

NanoAmp Solutions, Inc. 670 North McCarthy Blvd. Suite 220, Milpitas, CA 95035 ph: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770 www.nanoamp.com N04Q16yyC2B Advance Information 4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM w/ Dual Vcc and VccQ for Ultimate Power Reduction 256K×16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY Overview The N04Q16yyC2B are ultra-low power memory devices containing a 4 Mbit Static Random Access Memory organized as 262,144 words by 16 bits. The device is designed and fabricated using NanoAmp’s advanced
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "04Q16YYC2B", "N04Q16YY"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1SCA104162R1001 ABB
ABB

neutral and earth terminals

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты