|
N04Q1618C2B даташитФункция этой детали – «4mb Ultra-low Power Asynchronous Cmos Sram W/ Dual». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
N04Q1618C2B | AMI SEMICONDUCTOR |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM w/ Dual Vcc and VccQ AMI Semiconductor, Inc.
ULP Memory Solutions 670 North McCarthy Blvd. Suite 220 Milpitas, CA 95035 PH: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770
N04Q1618C2B
Advance Information
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM w/ Dual Vcc and VccQ for Ultimate Power Reduction
256K×16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY Overview
The N04Q16yyC2B are ultra-low power memory devices containing a 4 Mbit Static Random Access Memory organized as 262,144 words by 16 bits. The device is designed and fabricated using AMI Semiconducto |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |