|
MZK400TS60UP даташитФункция этой детали – «PDF». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MZK400TS60U | ETC |
Fast Recovery Epitazial Diode INT-A-PAK
· · · · · · ·
PRELIMINARY
Fast Recovery Epitaxial Diode INT-A -PAK
MZK400TS60U
Ultra-FastTM Speed FRED
MZK
MZC400TS60U
Features
International standard package With DBC ceramic base plate Planar passivated chips Short recovery time Low switching losses Ultra-soft recovery behaviour Industry standard package UL recongnition pending
MZC
VRRM = 600V IFAVM = 400A trr = 250ns
Benefits
· · · · · ·
Antiparallel diode for high frequency switching devices Increased operating efficiency Direct |
Это результат поиска, начинающийся с "400TS60", "MZK400TS" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MZC400TS60U | ETC |
Fast Recovery Epitazial Diode
· · · · · · ·
PRELIMINARY
Fast Recovery Epitaxial Diode INT-A -PAK
MZK400TS60U
Ultra-FastTM Speed FRED
MZK
MZC400TS60U
Features
International standard package With DBC ceramic base plate Planar passivated chips Short recovery time Lo |
|
CPT40060 | Microsemi Corporation |
Schottky PowerMod |
|
MA40060 | Tyco |
Stripline Packaged Schottky Mixer Diodes |
|
MBR40060CT | Micro Commercial Components |
400 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier MCC
Features
• • • •
omponents 21201 Itasca Street Chatsworth !"# $
% !"#
MBR40020CT THRU MBR300100CT
400 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts FULL PACK
Metal of siliconrectifier, majonty carrier c |
|
MBR40060CT | Naina Semiconductor |
(MBR40045CT - MBR400100CTR) Schottky Power Diode Naina Semiconductor Ltd.
Features
• • • • Guard Ring Protection Low forward voltage drop High surge current capability Up to 100V VRRM
MBR40045CT thru MBR400100CTR
Silicon Schottky Diode, 400A
TWIN TOWER PACKAGE
Maximum Ratings (TJ = 25oC unless otherwise specified) P |
|
MBR40060CT | America Semiconductor |
(MBR40045CT - MBR400100CTR) Silicon Power Schottky Diode Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |