|
MTP4N60 даташитФункция этой детали – «Trans Mosfet N-ch 500v 4a 3-pin(3+tab) To-220 Rail». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MTP4N60 | New Jersey Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
Это результат поиска, начинающийся с "4N60", "MTP4" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
04N60C3 | Infineon |
SPB04N60C3 63%1& &RRO026 3RZHU7UDQVLVWRU
)HDWXUH • 1HZUHYROXWLRQDUKLJKYROWDJHWHFKQRORJ •8OWUDORZJDWHFKDUJH • 3HULRGLFDYDODQFKHUDWHG •([WUHPHGYGWUDWHG • +LJKSHDNFXUUHQWFDSDELOLW • ,PSURYHGWUDQVFRQGXFWDQFH
VDS#Tjmax 5'6RQ ,'
3G72
|
|
24N60C3 | Infineon |
SPW24N60C3 SPW24N60C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv /dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance
Product Summary V DS @ T j,max R DS(on |
|
44N60 | IXYS Corporation |
IXFN44N60 HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TJ VISOL Md Weight 1.6 mm (0.63 in) from case for 10 s 50/60 Hz, RMS IISOL £ 1 mA t |
|
4N60 | KIA |
N-CHANNEL MOSFET KIA
SEMICONDUCTORS
600V N-CHANNEL MOSFET
4N60
1.Description
The KIA4N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power M |
|
4N60 | Unisonic Technologies |
N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N60
4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 4N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche ch |
|
4N60 | Estek Electronics |
600Volts N-Channel MOSFET Datasheet.esaSheet4U.net
4N60
4 Amps,600Volts N-Channel MOSFET
■ Description
The ET4N60 N-Channel enhancement mode silicon gate designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay dr |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |