DataSheet26.com


MTE130N20KF3 даташит

Функция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MTE130N20KF3 CYStech
CYStech
  N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KF3 Spec. No. : C952F3 Issued Date : 2014.06.03 Revised Date : Page No. : 1/9 Features • Low Gate Charge • Simple Drive Requirement • ESD Diode Protected Gate • Fast Switching Characteristic • Pb-free lead plating and RoHS compliant package BVDSS ID RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A 200V 18A 143mΩ Equivalent Circuit MTE130N20KF3 Outline TO-263 G:Gate D:Drain S:Source G DS Ordering Information Device MTE130N20KF3-0-T7-S Pack
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "130N20KF3", "MTE130N20"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MTE130N20E3 CYStech
CYStech

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20E3 Spec. No. : C966E3 Issued Date : 2015.05.06 Revised Date : Page No. : 1/ 8 Features • Simple Drive Requirement • Low Gate Charge • Fast Switching Characteristic • RoHS compliant package BVDSS
pdf
MTE130N20F3 Cystech Electonics
Cystech Electonics

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20F3 Spec. No. : C966F3 Issued Date : 2016.12.19 Revised Date : Page No. : 1/ 9 Features • Simple Drive Requirement • Low Gate Charge • Fast Switching Characteristic • RoHS compliant package BVDSS
pdf
MTE130N20FP CYStech
CYStech

N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20FP Spec. No. : C966FP Issued Date : 2014.05.13 Revised Date : 2014.05.15 Page No. : 1/ 8 BVDSS ID @ VGS=10V RDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 200V 17A 150 mΩ(typ) Features • Simple Drive Requirement • Low Ga
pdf
MTE130N20H8 CYStech
CYStech

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C966H8 Issued Date : 2015.03.23 Revised Date : Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20H8 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C RDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 200V 11A 156 mΩ(typ) Features • Low On Resistance • Simple Drive Req
pdf
MTE130N20J3 CYStech
CYStech

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C966J3 Issued Date : 2014.12.23 Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20J3 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C ID@VGS=10V, TA=25°C RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A 200V 18A 1.9A 156mΩ Features • Low Gate Charg
pdf
MTE130N20KE3 CYStech
CYStech

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KE3 Spec. No. : C952E3 Issued Date : 2013.12.27 Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/8 Features • Low Gate Charge • Simple Drive Requirement • ESD Diode Protected Gate • Fast Switching Characte
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты