|
MTE130N20J3 даташитФункция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MTE130N20J3 | CYStech |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C966J3 Issued Date : 2014.12.23 Revised Date : Page No. : 1/9
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE130N20J3 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C
ID@VGS=10V, TA=25°C
RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A
200V 18A 1.9A 156mΩ
Features
• Low Gate Charge • Simple Drive Requirement • Fast Switching Characteristic • Pb-free lead plating and halogen-free package
Symbol
MTE130N20J3
Outline
TO-252(DPAK)
G:Gate D:Drain S:Source
G DS
Ordering Information
Device MTE130N20J3-0-T3-G
|
Это результат поиска, начинающийся с "130N20J3", "MTE130N2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MTE130N20E3 | CYStech |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE130N20E3
Spec. No. : C966E3 Issued Date : 2015.05.06 Revised Date : Page No. : 1/ 8
Features
• Simple Drive Requirement • Low Gate Charge • Fast Switching Characteristic • RoHS compliant package
BVDSS |
|
MTE130N20F3 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE130N20F3
Spec. No. : C966F3 Issued Date : 2016.12.19 Revised Date : Page No. : 1/ 9
Features
• Simple Drive Requirement • Low Gate Charge • Fast Switching Characteristic • RoHS compliant package
BVDSS |
|
MTE130N20FP | CYStech |
N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE130N20FP
Spec. No. : C966FP Issued Date : 2014.05.13 Revised Date : 2014.05.15 Page No. : 1/ 8
BVDSS ID @ VGS=10V RDS(ON)@VGS=10V, ID=9A
200V
17A 150 mΩ(typ)
Features
• Simple Drive Requirement • Low Ga |
|
MTE130N20H8 | CYStech |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C966H8 Issued Date : 2015.03.23 Revised Date : Page No. : 1/ 9
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE130N20H8 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C
RDS(ON)@VGS=10V, ID=9A
200V 11A 156 mΩ(typ)
Features
• Low On Resistance • Simple Drive Req |
|
MTE130N20KE3 | CYStech |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE130N20KE3
Spec. No. : C952E3 Issued Date : 2013.12.27 Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/8
Features
• Low Gate Charge • Simple Drive Requirement • ESD Diode Protected Gate • Fast Switching Characte |
|
MTE130N20KF3 | CYStech |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE130N20KF3
Spec. No. : C952F3 Issued Date : 2014.06.03 Revised Date : Page No. : 1/9
Features
• Low Gate Charge • Simple Drive Requirement • ESD Diode Protected Gate • Fast Switching Characteristic • |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |