DataSheet26.com


MTE011N10RH8 даташит

Функция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MTE011N10RH8 Cystech Electonics
Cystech Electonics
  N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C169H8 Issued Date : 2016.07.05 Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE011N10RH8 BVDSS 100V ID@VGS=10V, TC=25°C 45A ID@VGS=10V, TA=25°C 15A RDSON(TYP) VGS=10V, ID=11.5A 9.5mΩ Features • Single Drive Requirement • Low On-resistance • Fast Switching Characteristic • Repetitive Avalanche Rated • Pb-free lead plating and Halogen-free package Symbol MTE011N10RH8 G:Gate D:Drain S:Source Outline Pin 1 S S S G DFN5×6 D D D
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "011N10RH8", "MTE011N10"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MTD011N10RH8 Cystech Electonics
Cystech Electonics

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C169H8 Issued Date : 2015.11.23 Revised Date : 2016.04.27 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTD011N10RH8 Features BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C ID@VGS=10V, TA=25°C VGS=10V, ID=11.5A RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=9.5A 100V 4
pdf
MTE011N10RE3 Cystech Electonics
Cystech Electonics

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C169E3 Issued Date : 2015.12.04 Revised Date : 2016.04.27 Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE011N10RE3 Features  Low On Resistance  Simple Drive Requirement  Low Gate Charge  Fast Switching Characteristi
pdf
MTE011N10RFP Cystech Electonics
Cystech Electonics

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C169FP Issued Date : 2015.12.01 Revised Date : 2016.04.27 Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE011N10RFP BVDSS Features ID@VGS=10V, TC=25°C ID@VGS=10V, TA=25°C  Low On Resistance RDS(ON)@VGS=10V, ID=11A 
pdf
MTE011N10RJ3 Cystech Electonics
Cystech Electonics

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C169J3 Issued Date : 2016.03.09 Revised Date : 2016.04.27 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE011N10RJ3 Features  Low On Resistance  Simple Drive Requirement  Low Gate Charge  Fast Switching Characteristi
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты