|
MTE011N10RH8 даташитФункция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MTE011N10RH8 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C169H8 Issued Date : 2016.07.05 Revised Date : Page No. : 1/10
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE011N10RH8 BVDSS
100V
ID@VGS=10V, TC=25°C
45A
ID@VGS=10V, TA=25°C
15A
RDSON(TYP) VGS=10V, ID=11.5A 9.5mΩ
Features
• Single Drive Requirement • Low On-resistance • Fast Switching Characteristic • Repetitive Avalanche Rated • Pb-free lead plating and Halogen-free package
Symbol
MTE011N10RH8
G:Gate D:Drain S:Source
Outline
Pin 1
S S S G
DFN5×6
D D D |
Это результат поиска, начинающийся с "011N10RH8", "MTE011N10" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MTD011N10RH8 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C169H8 Issued Date : 2015.11.23 Revised Date : 2016.04.27 Page No. : 1/10
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTD011N10RH8
Features
BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C ID@VGS=10V, TA=25°C
VGS=10V, ID=11.5A RDSON(TYP)
VGS=4.5V, ID=9.5A
100V 4 |
|
MTE011N10RE3 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C169E3 Issued Date : 2015.12.04 Revised Date : 2016.04.27 Page No. : 1/ 8
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE011N10RE3
Features
Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristi |
|
MTE011N10RFP | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C169FP Issued Date : 2015.12.01 Revised Date : 2016.04.27 Page No. : 1/ 8
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE011N10RFP
BVDSS
Features
ID@VGS=10V, TC=25°C ID@VGS=10V, TA=25°C
Low On Resistance
RDS(ON)@VGS=10V, ID=11A
|
|
MTE011N10RJ3 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C169J3 Issued Date : 2016.03.09 Revised Date : 2016.04.27 Page No. : 1/ 9
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE011N10RJ3
Features
Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristi |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |