|
MTD20N06HD даташитФункция этой детали – «Tmos Power Fet 20 Amperes 60 Volts Rds(on)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MTD20N06HD | Motorola Semiconductors |
TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.045 OHM MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MTD20N06HD/D
™ Data Sheet HDTMOS E-FET.™ Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
Designer's
MTD20N06HD
Motorola Preferred Device
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This advanced HDTMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications i |
|
MTD20N06HDL | Motorola Semiconductors |
TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.045 OHM MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document bt MTD20N06HDL/D
Advance Information
HDTMOS E-FETāā™ High Density Power FET DPAK for Surface Mount or Insertion Mount
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This advanced high–cell density HDTMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low–voltage, high–speed switching applications in power |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |