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Datasheet MTD080P06J3 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | MTD080P06J3 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C069J3 Issued Date : 2016.05.09 Revised Date : Page No. : 1/ 9
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTD080P06J3 BVDSS ID@VGS=-10V, TC=25°C
RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-10A
RDS(ON)@VGS=-5V, ID=-8A
-60V -12.5A 84mΩ(typ) 113mΩ(typ)
Features
• Low Gate Charge |
 Cystech Electonics |
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MTD080P0 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| MTD080P06J3 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
Cystech Electonics |
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[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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