DataSheet26.com


MTB5D0P03H8 даташит

Функция этой детали – «P-channel Enhancement Mode Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MTB5D0P03H8 Cystech Electonics
Cystech Electonics
  P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C965H8 Issued Date : 2014.12.12 Revised Date : 2015.03.26 Page No. : 1/ 9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB5D0P03H8 BVDSS ID@VGS=-10V, TC=25°C ID@VGS=-10V, TA=25°C Features • Single Drive Requirement • Low On-resistance • Fast Switching Characteristic • Pb-free lead plating and Halogen-free package RDSON(TYP) VGS=-10V, ID=-20A VGS=-4.5V, ID=-17A -30V -90A -22A 3.2mΩ 5.1mΩ Symbol MTB5D0P03H8 Outline Pin 1 EDFN5×6 G:Gate D:Drain S:Source Orderi
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5D0P03H8", "MTB5D0P0"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MTB5D0P03FP CYStech Electronics
CYStech Electronics

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB5D0P03FP Spec. No. : C965FP Issued Date : 2015.07.20 Revised Date : 2015.07.21 Page No. : 1/8 Features • Single Drive Requirement • Low On-resistance • Fast switching Characteristic • Pb-free lead plat
pdf
MTB5D0P03J3 Cystech Electonics
Cystech Electonics

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C965J3 Issued Date : 2014.09.15 Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB5D0P03J3 BVDSS ID @VGS=-10V RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-25A RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A -30V -88A 3.7mΩ(typ) 5.1mΩ(typ) Features • Low G
pdf
MTB5D0P03Q8 Cystech Electonics
Cystech Electonics

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C965Q8 Issued Date : 2014.12.03 Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB5D0P03Q8 BVDSS ID@VGS=-10V, TA=25°C ID@VGS=-4.5V, TA=25°C ID@VGS=-10V, TC=25°C ID@VGS=-4.5V, TC=25°C Features • Simple drive
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты