|
MTB5D0P03H8 даташитФункция этой детали – «P-channel Enhancement Mode Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MTB5D0P03H8 | Cystech Electonics |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C965H8 Issued Date : 2014.12.12 Revised Date : 2015.03.26 Page No. : 1/ 9
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB5D0P03H8 BVDSS ID@VGS=-10V, TC=25°C
ID@VGS=-10V, TA=25°C
Features
• Single Drive Requirement • Low On-resistance • Fast Switching Characteristic • Pb-free lead plating and Halogen-free package
RDSON(TYP)
VGS=-10V, ID=-20A VGS=-4.5V, ID=-17A
-30V -90A -22A 3.2mΩ 5.1mΩ
Symbol
MTB5D0P03H8
Outline
Pin 1
EDFN5×6
G:Gate D:Drain S:Source
Orderi |
Это результат поиска, начинающийся с "5D0P03H8", "MTB5D0P0" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MTB5D0P03FP | CYStech Electronics |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB5D0P03FP
Spec. No. : C965FP Issued Date : 2015.07.20 Revised Date : 2015.07.21 Page No. : 1/8
Features
• Single Drive Requirement • Low On-resistance • Fast switching Characteristic • Pb-free lead plat |
|
MTB5D0P03J3 | Cystech Electonics |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C965J3 Issued Date : 2014.09.15 Revised Date : Page No. : 1/9
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB5D0P03J3 BVDSS ID @VGS=-10V RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-25A
RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A
-30V -88A 3.7mΩ(typ)
5.1mΩ(typ)
Features
• Low G |
|
MTB5D0P03Q8 | Cystech Electonics |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C965Q8 Issued Date : 2014.12.03 Revised Date : Page No. : 1/9
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB5D0P03Q8 BVDSS ID@VGS=-10V, TA=25°C
ID@VGS=-4.5V, TA=25°C
ID@VGS=-10V, TC=25°C
ID@VGS=-4.5V, TC=25°C
Features
• Simple drive |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |