DataSheet26.com


MTB11N03BV8 даташит

Функция этой детали – «N-channel LogIC Level Enhancement Mode Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MTB11N03BV8 CYStech Electronics
CYStech Electronics
  N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : CA00V8 Issued Date : 2015.05.25 Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB11N03BV8 BVDSS ID @ TC=25°C, VGS=10V 30V 44A ID @ TA=25°C, VGS=10V 14A RDSON(TYP) VGS=10V, ID=14A 7.3mΩ VGS=4.5V, ID=12A 11.2mΩ Features • Single Drive Requirement • Low On-resistance • Fast Switching Characteristic • Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit MTB11N03BV8 Outline Pin 1 DFN3×3 G:Gate D:Drain S:Sourc
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "11N03BV8", "MTB11N03"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MABA-011038 MA-COM
MA-COM

Transformer

MABA-011038 1:3 Step up Flux Coupled Balun Transformer 1 – 300 MHz Features  1:3 impedance  Surface mount  Available on tape and reel  260º reflow compatible  RoHS compliant and Pb free  Excellent temperature stability  Suitable for all CATV, Broadband and
pdf
MTB11N03BQ8 CYStech Electronics
CYStech Electronics

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : CA00Q8 Issued Date : 2015.05.01 Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB11N03BQ8 BVDSS ID@VGS=10V, TA=25°C RDSON(typ)@VGS=10V, ID=12A RDSON(typ)@VGS=4.5V, ID=12A 30V 12A 8.8mΩ 12.8mΩ Feature
pdf
MTB11N03Q8 Cystech Electonics
Cystech Electonics

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C711Q8 Issued Date : 2009.05.07 Revised Date :2012.03.26 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB11N03Q8 BVDSS ID RDSON(max) 30V 16A 8.5mΩ Description The MTB11N03Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSF
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты