|
MTB11N03BV8 даташитФункция этой детали – «N-channel LogIC Level Enhancement Mode Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MTB11N03BV8 | CYStech Electronics |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : CA00V8 Issued Date : 2015.05.25 Revised Date : Page No. : 1/9
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
MTB11N03BV8 BVDSS ID @ TC=25°C, VGS=10V
30V 44A
ID @ TA=25°C, VGS=10V
14A
RDSON(TYP)
VGS=10V, ID=14A 7.3mΩ VGS=4.5V, ID=12A 11.2mΩ
Features
• Single Drive Requirement • Low On-resistance • Fast Switching Characteristic • Pb-free lead plating and halogen-free package
Equivalent Circuit
MTB11N03BV8
Outline
Pin 1
DFN3×3
G:Gate D:Drain S:Sourc |
Это результат поиска, начинающийся с "11N03BV8", "MTB11N03" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MABA-011038 | MA-COM |
Transformer MABA-011038
1:3 Step up Flux Coupled Balun Transformer 1 – 300 MHz
Features
1:3 impedance Surface mount Available on tape and reel 260º reflow compatible RoHS compliant and Pb free Excellent temperature stability Suitable for all CATV, Broadband and |
|
MTB11N03BQ8 | CYStech Electronics |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : CA00Q8 Issued Date : 2015.05.01 Revised Date : Page No. : 1/9
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
MTB11N03BQ8 BVDSS ID@VGS=10V, TA=25°C RDSON(typ)@VGS=10V, ID=12A
RDSON(typ)@VGS=4.5V, ID=12A
30V 12A
8.8mΩ
12.8mΩ
Feature |
|
MTB11N03Q8 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C711Q8 Issued Date : 2009.05.07 Revised Date :2012.03.26 Page No. : 1/9
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
MTB11N03Q8
BVDSS
ID
RDSON(max)
30V 16A 8.5mΩ
Description
The MTB11N03Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSF |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |