|
MTB020N03KV8 даташитФункция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MTB020N03KV8 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C143V8 Issued Date : 2016.02.19 Revised Date : 2016.02.22 Page No. : 1/9
N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB020N03KV8 BVDSS ID@VGS=10V, TA=25°C
ID@VGS=10V, TC=25°C
RDSON(TYP)
VGS=10V, ID=10A VGS=4.5V, ID=8A
30V 10A 18A 12.4mΩ 16.8mΩ
Features
• Low Gate Charge • Simple Drive Requirement • ESD protected gate • Pb-free lead plating package
Equivalent Circuit
MTB020N03KV8
Outline
DFN3×3
Pin 1
G:Gate D:Drain S:Source
Ordering Information
Device
M |
Это результат поиска, начинающийся с "020N03KV8", "MTB020N03" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MTB020N03E3 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C737E3 Issued Date : 2016.06.23 Revised Date : Page No. : 1/8
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB020N03E3
BVDSS
ID@VGS=10V, TC=25°C
Features
RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A
• Low Gate Charge
• Simple Drive Requirement
• Repeti |
|
MTB020N03KJ3 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C143J3 Issued Date : 2015.12.15 Revised Date : 2016.02.22 Page No. : 1/9
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB020N03KJ3
BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C ID@VGS=10V, TA=25°C
VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=10A
Features
VGS=4V, |
|
MTB020N03KL3 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C143L3 Issued Date : 2016.01.22 Revised Date : 2016.02.22 Page No. : 1/9
30V N-channel Enhancement Mode MOSFET
MTB020N03KL3 BVDSS ID@VGS=10V, TA=25°C
RDSON@VGS=10V, ID=4A
RDSON@VGS=4.5V, ID=3A
30V 7.4A 21.4mΩ (typ) 25.7mΩ (typ)
Feature |
|
MTB020N03KM3 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
MTB020N03KM3
Spec. No. : C143M3 Issued Date : 2016.01.21 Revised Date : 2016.02.22 Page No. : 1/9
Features
• Simple drive requirement • Small package outline • ESD protected gate • Pb-free lead plating and |
|
MTB020N03KN3 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C143N3 Issued Date : 2016.01.21 Revised Date : 2016.02.22 Page No. : 1/9
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
MTB020N03KN3 BVDSS ID@VGS=10V, TA=25°C RDSON@VGS=10V, ID=5A
RDSON@VGS=4.5V, ID=4A
30V 5.9A
17.1mΩ(typ) 21.1mΩ(typ)
Features
|
|
MTB020N03KN6 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C143N6 Issued Date : 2016.01.06 Revised Date : 2016.02.22 Page No. : 1/9
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
MTB020N03KN6
BVDSS ID@VGS=10V, TA=25°C ID@VGS=10V, TC=25°C
RDS(ON)@VGS=10V, ID=7A
RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=5A
30V 7A
8.8A 14.7 mΩ(ty |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |