DataSheet26.com


MTB020N03KV8 даташит

Функция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MTB020N03KV8 Cystech Electonics
Cystech Electonics
  N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C143V8 Issued Date : 2016.02.19 Revised Date : 2016.02.22 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB020N03KV8 BVDSS ID@VGS=10V, TA=25°C ID@VGS=10V, TC=25°C RDSON(TYP) VGS=10V, ID=10A VGS=4.5V, ID=8A 30V 10A 18A 12.4mΩ 16.8mΩ Features • Low Gate Charge • Simple Drive Requirement • ESD protected gate • Pb-free lead plating package Equivalent Circuit MTB020N03KV8 Outline DFN3×3 Pin 1 G:Gate D:Drain S:Source Ordering Information Device M
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "020N03KV8", "MTB020N03"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MTB020N03E3 Cystech Electonics
Cystech Electonics

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C737E3 Issued Date : 2016.06.23 Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB020N03E3 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A • Low Gate Charge • Simple Drive Requirement • Repeti
pdf
MTB020N03KJ3 Cystech Electonics
Cystech Electonics

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C143J3 Issued Date : 2015.12.15 Revised Date : 2016.02.22 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB020N03KJ3 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C ID@VGS=10V, TA=25°C VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=10A Features VGS=4V,
pdf
MTB020N03KL3 Cystech Electonics
Cystech Electonics

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C143L3 Issued Date : 2016.01.22 Revised Date : 2016.02.22 Page No. : 1/9 30V N-channel Enhancement Mode MOSFET MTB020N03KL3 BVDSS ID@VGS=10V, TA=25°C RDSON@VGS=10V, ID=4A RDSON@VGS=4.5V, ID=3A 30V 7.4A 21.4mΩ (typ) 25.7mΩ (typ) Feature
pdf
MTB020N03KM3 Cystech Electonics
Cystech Electonics

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTB020N03KM3 Spec. No. : C143M3 Issued Date : 2016.01.21 Revised Date : 2016.02.22 Page No. : 1/9 Features • Simple drive requirement • Small package outline • ESD protected gate • Pb-free lead plating and
pdf
MTB020N03KN3 Cystech Electonics
Cystech Electonics

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C143N3 Issued Date : 2016.01.21 Revised Date : 2016.02.22 Page No. : 1/9 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTB020N03KN3 BVDSS ID@VGS=10V, TA=25°C RDSON@VGS=10V, ID=5A RDSON@VGS=4.5V, ID=4A 30V 5.9A 17.1mΩ(typ) 21.1mΩ(typ) Features
pdf
MTB020N03KN6 Cystech Electonics
Cystech Electonics

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C143N6 Issued Date : 2016.01.06 Revised Date : 2016.02.22 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTB020N03KN6 BVDSS ID@VGS=10V, TA=25°C ID@VGS=10V, TC=25°C RDS(ON)@VGS=10V, ID=7A RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=5A 30V 7A 8.8A 14.7 mΩ(ty
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты