|
MT29F8G16ABBCA даташитФункция этой детали – «Nand Flash Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MT29F8G16ABBCA | Micron |
NAND Flash Memory Micron Confidential and Proprietary
8Gb,16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features
NAND Flash Memory
MT29F8G08ABACA, MT29F8G16ABACA, MT29F8G08ABBCA, MT29F8G16ABBCA, MT29F16G08ADACA, MT29F16G16ADACA, MT29F16G08ADBCA , MT29F16G16ADBCA Features
• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant1 • Single-level cell (SLC) technology • Organization – Page size x8: 4320 bytes (4096 + 224 bytes) – Page size x16: 2160 words (2048 + 112 words) – Block size: 64 pages (256K + 14K bytes) – Plane size: 2 planes x 2048 bl |
Это результат поиска, начинающийся с "29F8G16ABBCA", "MT29F8G16AB" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MT29F8G16ABACA | Micron |
NAND Flash Memory Micron Confidential and Proprietary
8Gb,16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features
NAND Flash Memory
MT29F8G08ABACA, MT29F8G16ABACA, MT29F8G08ABBCA, MT29F8G16ABBCA, MT29F16G08ADACA, MT29F16G16ADACA, MT29F16G08ADBCA , MT29F16G16ADBCA Features
• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |