![]() |
MT29F1G08ABAEAH4 даташит PDFЭто Nand Flash Memory. На странице результатов поиска MT29F1G08ABAEAH4 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MT29F1G08ABAEAH4 | ![]() Micron Technology |
NAND Flash Memory Micron Confidential and Proprietary
Preliminary‡
1Gb x8, x16: NAND Flash Memory Features
NAND Flash Memory
MT29F1G08ABAEAWP-IT, MT29F1G08ABAEAWP, MT29F1G08ABAEAH4-IT MT29F1G08ABAEAH4, MT29F1G08ABBEAH4-IT, MT29F1G08ABBEAH4, MT29F1G16ABBEAH4-IT, MT29F1G16ABBEAH4, MT29F1G08ABBEAHC-IT, MT29F1G08ABBEAHC, MT29F1G16ABBEAHC-IT, MT29F1G16ABBEAHC
Features
• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant1 • Single-level cell (SLC) technology • Organization
– Page size x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes) – Page size x16 |
![]() |
MT29F1G08ABAEAH4-IT | ![]() Micron Technology |
NAND Flash Memory |
![]() |
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
введение сайта
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |