DataSheet26.com


MRF9130LSR3 даташит

Функция этой детали – «28 V Lateral N-channel Rf Power Mosfets».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MRF9130LSR3 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors
  28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Freescale Semiconductor, Inc. Order this document by MRF9130L/D The RF Sub - Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 921 to 960 MHz, the high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large - signal, common - source amplifier applications in 28 volt base station equipment. • Typical Performance for GSM Frequencies, 921 to 960 MHz, 28 Volts Output Power @ P1dB
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "9130LSR3", "MRF9130L"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MRF9130LR3 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Freescale Semiconductor, Inc. Order this document by MRF9130L/D The RF Sub - Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 921 to 960 MHz, the high gain
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты