|
MRF9130LSR3 даташитФункция этой детали – «28 V Lateral N-channel Rf Power Mosfets». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF9130LSR3 | Motorola Semiconductors |
28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Freescale Semiconductor, Inc.
Order this document by MRF9130L/D
The RF Sub - Micron MOSFET Line
RF Power Field Effect Transistors
Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 921 to 960 MHz, the high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large - signal, common - source amplifier applications in 28 volt base station equipment. • Typical Performance for GSM Frequencies, 921 to 960 MHz, 28 Volts Output Power @ P1dB |
Это результат поиска, начинающийся с "9130LSR3", "MRF9130L" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF9130LR3 | Motorola Semiconductors |
28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Freescale Semiconductor, Inc.
Order this document by MRF9130L/D
The RF Sub - Micron MOSFET Line
RF Power Field Effect Transistors
Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 921 to 960 MHz, the high gain |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |