|
MRF9030MBR1 даташитФункция этой детали – «The Rf Sub-mICron Mosfet Line Rf Power Field». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF9030MBR1 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors |
|
MRF9030MBR1 | Freescale Semiconductor |
The RF Sub-Micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Freescale Semiconductor, Inc.
Order this document by MRF9030M/D
The RF Sub-Micron MOSFET Line
RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applications in 26 volt base station equipment. • Typical Performance at 945 MHz, 26 Volts Output Po |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |