|
MRF7S18170HSR3 даташитФункция этой детали – «Rf Power Field Effect Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF7S18170HSR3 | Motorola Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors
Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF7S18170H Rev. 0, 10/2006
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for CDMA base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Suitable for CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB and Class C for PCN - PCS/cellular radio and WLL applications. • Typical Single - Carrier W - CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Pout = 50 Watts Avg., Ful |
Это результат поиска, начинающийся с "7S18170HSR3", "MRF7S18170H" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF7S18170HR3 | Motorola Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors
Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF7S18170H Rev. 0, 10/2006
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for CDMA base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Suitabl |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |