|
MRF6S9045 даташит PDFЭто Rf Power Field Effect Transistors. На странице результатов поиска MRF6S9045 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| MRF6S9045 |  Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF6S9045 Rev. 1, 6/2005
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large - signal, common - source amplifier applications in 28 volt base station equipment. • Typical Single - Carrier N - CDMA Performance @ 880 MHz, VDD = 28 Volts, IDQ = 350 mA, Pout = |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "6S9045", "MRF6S9" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| MRFE6S9045NR1 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistor
Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRFE6S9045N Rev. 0, 10/2007
RF Power Field Effect Transistor
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFET
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz |
 |
| MRF6S9060 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF6S9060 Rev. 1, 6/2005
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and br |
|
| MRF6S9125MBR1 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors
Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF6S9125 Rev. 1, 7/2005
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. |
|
| MRF6S9125MR1 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors
Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF6S9125 Rev. 1, 7/2005
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. |
|
| MRF6S9125NBR1 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors
Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF6S9125 Rev. 1, 7/2005
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. |
|
| MRF6S9125NR1 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors
Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF6S9125 Rev. 1, 7/2005
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |