|
MRF6S27050HSR3 даташит PDFЭто Rf Power Field Effect Transistors. На странице результатов поиска MRF6S27050HSR3 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| MRF6S27050HSR3 |  Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF6S27050H Rev. 1, 12/2008
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2500 to 2700 MHz. Suitable for WiMAX, WiBro, BWA, and OFDM multicarrier Class AB and Class C amplifier applications. • Typical Single - Carrier W - CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 500 mA, Pout = 7 Watts Avg., f = 2615 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz. PAR = 8. |
 |
| MRF6S27050HSR3 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 |
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |