|
MRF6S21060NR1 даташитФункция этой детали – «Rf Power Field Effect Transistors N-channel Enhancement-mode Lateral». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF6S21060NR1 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs LIFETIME BUY
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
Freescale Semiconductor Technical Data
RF Power Field Effect Transistors
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
Designed for W--CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN--PCS/cellular radio, WLL and TD--SCDMA applications.
• Typical 2--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 610 mA, Pout = 14 Watts Avg., f = 2115.5 MHz, Chann |
Это результат поиска, начинающийся с "6S21060NR1", "MRF6S21060" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF6S21060NBR1 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs LIFETIME BUY
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
Freescale Semiconductor Technical Data
RF Power Field Effect Transistors
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
Designed for W--CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CD |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |