|
MRF6S18060NR1 даташитФункция этой детали – «Rf Power Field Effect Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF6S18060NR1 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF6S18060N Rev. 3, 5/2006
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.
GSM Application
MRF6S18060NR1 MRF6S18060NBR1
1800 - 2000 MHz, 60 W, 26 V GSM/GSM EDGE LATERAL N - CHANNEL RF POWER MOSFETs
• Typical GSM Performance: VDD = 26 Vdc, IDQ = 60 |
Это результат поиска, начинающийся с "6S18060NR1", "MRF6S18060" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF6S18060MBR1 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Freescale Semiconductor Technical Data
Replaced by MRF6S18060NR1/NBR1. There are no form, fit or function changes with this part replacement. N suffix added to part number to indicate transition to lead - free terminations.
Document Number: MRF6S18060 Rev. 2, 5/2006
RF Power Fi |
|
MRF6S18060MR1 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Freescale Semiconductor Technical Data
Replaced by MRF6S18060NR1/NBR1. There are no form, fit or function changes with this part replacement. N suffix added to part number to indicate transition to lead - free terminations.
Document Number: MRF6S18060 Rev. 2, 5/2006
RF Power Fi |
|
MRF6S18060NBR1 | Freescale Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistors Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF6S18060N Rev. 3, 5/2006
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |