DataSheet26.com


MRF6S18060NR1 даташит

Функция этой детали – «Rf Power Field Effect Transistors».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MRF6S18060NR1 Freescale Semiconductor
Freescale Semiconductor
  RF Power Field Effect Transistors

Freescale Semiconductor Technical Data Document Number: MRF6S18060N Rev. 3, 5/2006 RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. GSM Application MRF6S18060NR1 MRF6S18060NBR1 1800 - 2000 MHz, 60 W, 26 V GSM/GSM EDGE LATERAL N - CHANNEL RF POWER MOSFETs • Typical GSM Performance: VDD = 26 Vdc, IDQ = 60
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "6S18060NR1", "MRF6S18060"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MRF6S18060MBR1 Freescale Semiconductor
Freescale Semiconductor

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Freescale Semiconductor Technical Data Replaced by MRF6S18060NR1/NBR1. There are no form, fit or function changes with this part replacement. N suffix added to part number to indicate transition to lead - free terminations. Document Number: MRF6S18060 Rev. 2, 5/2006 RF Power Fi
pdf
MRF6S18060MR1 Freescale Semiconductor
Freescale Semiconductor

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Freescale Semiconductor Technical Data Replaced by MRF6S18060NR1/NBR1. There are no form, fit or function changes with this part replacement. N suffix added to part number to indicate transition to lead - free terminations. Document Number: MRF6S18060 Rev. 2, 5/2006 RF Power Fi
pdf
MRF6S18060NBR1 Freescale Semiconductor
Freescale Semiconductor

RF Power Field Effect Transistors

Freescale Semiconductor Technical Data Document Number: MRF6S18060N Rev. 3, 5/2006 RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты