DataSheet26.com


MRF6522-70 даташит

Функция этой детали – «Trans Rf Mosfet N-ch 65v 7a 3-pin Ni-600».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MRF6522-70 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
  Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin NI-600

pdf
MRF6522-70R3 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors
  RF Power Field Effect Transistor

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Freescale Semiconductor, Inc. Order this document by MRF6522 - 70/D The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor Designed for GSM 900 frequency band, the high gain and broadband performance of this device make it ideal for large - signal, common source amplifier applications in 26 volt base station equipment. • Specified Performance @ Full GSM Band, 921 - 960 MHz, 26 Volts Output Power, P1dB — 80 Watts (Typ) Power Gain @ P1dB — 16 dB (Typ) Efficiency @ P1dB — 58%
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты