|
MRF6522-70 даташитФункция этой детали – «Trans Rf Mosfet N-ch 65v 7a 3-pin Ni-600». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF6522-70 | New Jersey Semiconductor |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin NI-600 |
|
MRF6522-70R3 | Motorola Semiconductors |
RF Power Field Effect Transistor MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Freescale Semiconductor, Inc.
Order this document by MRF6522 - 70/D
The RF MOSFET Line
RF Power Field Effect Transistor
Designed for GSM 900 frequency band, the high gain and broadband performance of this device make it ideal for large - signal, common source amplifier applications in 26 volt base station equipment. • Specified Performance @ Full GSM Band, 921 - 960 MHz, 26 Volts Output Power, P1dB — 80 Watts (Typ) Power Gain @ P1dB — 16 dB (Typ) Efficiency @ P1dB — 58% |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |