|
MRF5S9100NBR1 даташитФункция этой детали – «Single N-cdma Lateral N-channel Rf Power Mosfets». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF5S9100NBR1 | Freescale Semiconductor |
SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF5S9100N Rev. 5, 5/2006
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large - signal, common - source amplifier applications in 26 volt base station equipment. • Typical Single - Carrier N - CDMA Performance @ 880 MHz, VDD = 26 Volts, IDQ = 950 mA, Pout = |
Это результат поиска, начинающийся с "5S9100NBR1", "MRF5S9100N" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF5S9100NR1 | Freescale Semiconductor |
SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF5S9100N Rev. 5, 5/2006
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and b |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |