DataSheet26.com


MRF5S19130R3 даташит

Функция этой детали – «N-channel Enhancement-mode Lateral Mosfets».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MRF5S19130R3 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors
  N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Freescale Semiconductor, Inc. Order this document by MRF5S19130/D MRF5S19130R3 RF Power Field Effect Transistors MRF5S19130SR3 The RF MOSFET Line N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2 - Carrier N - CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ = 1200 mA, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz IS
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5S19130R3", "MRF5S1913"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MRF5S19130HR3 Freescale Semiconductor
Freescale Semiconductor

CDMA and multicarrier amplifier applications

Freescale Semiconductor Technical Data Document Number: MRF5S19130H Rev. 2, 5/2006 RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1900 to 2000 MHz. Sui
pdf
MRF5S19130HSR3 Freescale Semiconductor
Freescale Semiconductor

CDMA and multicarrier amplifier applications

Freescale Semiconductor Technical Data Document Number: MRF5S19130H Rev. 2, 5/2006 RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1900 to 2000 MHz. Sui
pdf
MRF5S19130SR3 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Freescale Semiconductor, Inc. Order this document by MRF5S19130/D MRF5S19130R3 RF Power Field Effect Transistors MRF5S19130SR3 The RF MOSFET Line N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты