|
MRF5S19130R3 даташитФункция этой детали – «N-channel Enhancement-mode Lateral Mosfets». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF5S19130R3 | Motorola Semiconductors |
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Freescale Semiconductor, Inc.
Order this document by MRF5S19130/D
MRF5S19130R3 RF Power Field Effect Transistors MRF5S19130SR3
The RF MOSFET Line N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2 - Carrier N - CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ = 1200 mA, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz IS |
Это результат поиска, начинающийся с "5S19130R3", "MRF5S1913" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF5S19130HR3 | Freescale Semiconductor |
CDMA and multicarrier amplifier applications
Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF5S19130H Rev. 2, 5/2006
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1900 to 2000 MHz. Sui |
|
MRF5S19130HSR3 | Freescale Semiconductor |
CDMA and multicarrier amplifier applications
Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRF5S19130H Rev. 2, 5/2006
RF Power Field Effect Transistors
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1900 to 2000 MHz. Sui |
|
MRF5S19130SR3 | Motorola Semiconductors |
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Freescale Semiconductor, Inc.
Order this document by MRF5S19130/D
MRF5S19130R3 RF Power Field Effect Transistors MRF5S19130SR3
The RF MOSFET Line N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
Designed for PCN and PCS |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |