|
MRF555 даташитФункция этой детали – «Rf & MICrowave Discrete Low Power Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF555 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 16V 0.5A 4-Pin Power Macro |
|
MRF555 | Motorola Semiconductors |
NPN SILICON RF LOW POWER TRANSISTOR MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MRF555/D
The RF Line
NPN Silicon RF Low Power Transistor
Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the UHF frequency range.
• Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics @ Pout = 1.5 W Common Emitter Power Gain = 12.5 dB (Typ) Efficiency 60% (Typ)
• Cost Effective PowerMacro Package • Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability • Circuit board photomaster available upon request by
contacting RF Tactical Marketing in |
|
MRF555 | Microsemi |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 140 COMMERCE DRIVE MONTGOMERYVILLE, PA 18936-1013 PHONE: (215) 631-9840 FAX: (215) 631-9855
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
Features
• Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics • Output Power = 1.5 W • Minimum Gain = 11 dB • Efficiency 60% (Typ) • Cost Effective PowerMacro Package • Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability
DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in
the UHF frequency range.
MRF555
Power Macro
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)
S |
|
MRF555 | Advanced Semiconductor |
NPN SILICON RF TRANSISTOR MRF555
NPN SILICON RF TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI MRF555 is designed for Wideband large signal stages in the UHF frequency range.
FEATURES:
• 12.5 V, 470 MHz. • POUT = 1.5 W • GP = 11 min. • η = 60 % (Typ)
MAXIMUM RATINGS
IC 500 mA
VCBO
30 V
PDISS
3.0 W @ TC = 75 °C
TJ -65 °C to +200 °C
TSTG
-65 °C to +150 °C
θJC 41.7 °C/W
PACKAGE STYLE
MILLIMETERS
INCHES
DIM MIN MAX MIN MAX
A
4.45
5.21
.175
.205
B
1.91
2.54
.075
.100
C
0.84
0.99
.033
.039
D
2.46
2.64
.097
.104
E
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |