DataSheet26.com


MRF555 даташит

Функция этой детали – «Rf & MICrowave Discrete Low Power Transistors».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MRF555 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
  Trans GP BJT NPN 16V 0.5A 4-Pin Power Macro

pdf
MRF555 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors
  NPN SILICON RF LOW POWER TRANSISTOR

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MRF555/D The RF Line NPN Silicon RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the UHF frequency range. • Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics @ Pout = 1.5 W Common Emitter Power Gain = 12.5 dB (Typ) Efficiency 60% (Typ) • Cost Effective PowerMacro Package • Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability • Circuit board photomaster available upon request by contacting RF Tactical Marketing in
pdf
MRF555 Microsemi
Microsemi
  RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

140 COMMERCE DRIVE MONTGOMERYVILLE, PA 18936-1013 PHONE: (215) 631-9840 FAX: (215) 631-9855 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS Features • Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics • Output Power = 1.5 W • Minimum Gain = 11 dB • Efficiency 60% (Typ) • Cost Effective PowerMacro Package • Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in the UHF frequency range. MRF555 Power Macro ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C) S
pdf
MRF555 Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
  NPN SILICON RF TRANSISTOR

MRF555 NPN SILICON RF TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF555 is designed for Wideband large signal stages in the UHF frequency range. FEATURES: • 12.5 V, 470 MHz. • POUT = 1.5 W • GP = 11 min. • η = 60 % (Typ) MAXIMUM RATINGS IC 500 mA VCBO 30 V PDISS 3.0 W @ TC = 75 °C TJ -65 °C to +200 °C TSTG -65 °C to +150 °C θJC 41.7 °C/W PACKAGE STYLE MILLIMETERS INCHES DIM MIN MAX MIN MAX A 4.45 5.21 .175 .205 B 1.91 2.54 .075 .100 C 0.84 0.99 .033 .039 D 2.46 2.64 .097 .104 E
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты