|
MRF3866R1 даташитФункция этой детали – «Rf & MICrowave Discrete Low Power Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF3866R1 | Microsemi Corporation |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 140 COMMERCE DRIVE MONTGOMERYVILLE, PA 18936-1013 PHONE: (215) 631-9840 FAX: (215) 631-9855
MRF3866, R1, R2
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
Features
• Low Cost SO-8 Plastic Surface Mount Package.
• • •
S-Parameter Characterization Tape and Reel Packaging Options Available Maximum Available Gain = 17 dB @ 300 MHz
SO-8
R1 suffix–Tape and Reel, 500 units R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units
DESCRIPTION: Designed for general-purpose RF amplifier applications, such as; pre-d |
|
MRF3866R1 | Advanced Power Technology |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 140 COMMERCE DRIVE MONTGOMERYVILLE, PA 18936-1013 PHONE: (215) 631-9840 FAX: (215) 631-9855
MRF3866, R1, R2
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF3866G, R1, R2
* G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish
Features
• Low Cost SO-8 Plastic Surface Mount Package. • • • S-Parameter Characterization Tape and Reel Packaging Options Available Maximum Available Gain = 17 dB @ 300 MHz
SO-8
R1 suffix–Tape and Reel, 500 units R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units
DESCRIPTION: De |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |