|
MRF373SR1 даташитФункция этой детали – «Rf Power Field Effect Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF373SR1 | Motorola Semiconductors |
RF Power Field Effect Transistors ARCHIVED BY FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 2005
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MRF373/D
The RF MOSFET Line
RF Power Field Effect Transistors
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 470 – 860 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large–signal, common source amplifier applications in 28 volt transmitter equipment.
• Guaranteed CW Performance at 860 MH |
Это результат поиска, начинающийся с "373SR1", "MRF373" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3731 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3-Pin TO-39 |
|
2SC3731 | NEC |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
2SK3731 | Panasonic |
Power Device - Power MOS Fets Power MOSFETs
2SK3731
N-channel enhancement mode MOSFET
■ Features
• Low on-resistance, low Qg • High avalanche resistance
(1.4)
Unit: mm
10.5±0.3 4.6±0.2 1.4±0.1
0.6±0.1
3.0±0.5 0 to 0.5
• For PDP • For high-speed switching
1.4±0.1 0.8±0.1 2.54±0.3 2.5±0 |
|
82P33731 | Integrated Device Technology |
Synchronous Equipment Timing Source Synchronous Equipment Timing Source for 10G/ 40G Synchronous Ethernet
82P33731
Short Form Datasheet
This is a short form datasheet and is intended to provide an overview only. Additional details are available from IDT. Contact information may be found on the last page.
HIGHLIG |
|
B3731 | EPCOS |
SAW Components
SAW Components
SAW filter
Short range devices
Series/type: Ordering code: Date: Version:
B3731 B39321B3731H110 February 28, 2007 2.2
© EPCOS AG 2007. Reproduction, publication and dissemination of this data sheet, enclosures hereto and the information con |
|
CNZ3731 | Panasonic Semiconductor |
Optoisolators |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |