DataSheet26.com


MRF323 даташит

Функция этой детали – «Trans Gp Bjt NPN 33v 3a 4-pin Case».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MRF323 Tyco Electronics
Tyco Electronics
  RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MRF323/D The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor . . . designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier stages in the 200–500 MHz frequency range. • Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 V Output Power = 20 Watts Power Gain = 10 dB Min Efficiency = 50% Min • 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR • Gold Metallization System for High Reliability MRF323 20 W, 400 MHz RF POWER TRAN
pdf
MRF323 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
  Trans GP BJT NPN 33V 3A 4-Pin Case 244-04

pdf
MRF323 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors
  RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MRF323/D The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor . . . designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier stages in the 200– 500 MHz frequency range. • Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 V Output Power = 20 Watts Power Gain = 10 dB Min Efficiency = 50% Min • 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR • Gold Metallization System for High Reliability MRF323 20 W, 400 MHz RF
pdf
MRF323 Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
  NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

MRF323 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The MRF323 is Designed for Wide Band Large-Signal Driver and Predriver Applications in the 200 to 500 MHz Range. PACKAGE STYLE .280" 4L STUD A 45° C B E B E FEATURES INCLUDE: • Gold Metalization • 30:1 VSWR E F D C J I G MAXIMUM RATINGS IC VCB PDISS TSTG θJC O H K DIM A B C D E MINIMUM inches / mm #8-32 UNC MAXIMUM inches / mm 2.2 A (CONT) 3.0 A (PEAK) 60 V 55 W @ TC = 25 C -65 C to +150 C 3.2 C/W O O O 1.010 / 25.65 .220 / 5.59 .270 / 6.86 .003 /
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты