|
MRF323 даташитФункция этой детали – «Trans Gp Bjt NPN 33v 3a 4-pin Case». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF323 | Tyco Electronics |
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MRF323/D
The RF Line
NPN Silicon RF Power Transistor
. . . designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier stages in the 200–500 MHz frequency range. • Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 V Output Power = 20 Watts Power Gain = 10 dB Min Efficiency = 50% Min • 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR • Gold Metallization System for High Reliability
MRF323
20 W, 400 MHz RF POWER TRAN |
|
MRF323 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 33V 3A 4-Pin Case 244-04 |
|
MRF323 | Motorola Semiconductors |
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MRF323/D
The RF Line
NPN Silicon RF Power Transistor
. . . designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier stages in the 200– 500 MHz frequency range. • Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 V Output Power = 20 Watts Power Gain = 10 dB Min Efficiency = 50% Min • 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR • Gold Metallization System for High Reliability
MRF323
20 W, 400 MHz RF |
|
MRF323 | Advanced Semiconductor |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR MRF323
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The MRF323 is Designed for Wide Band Large-Signal Driver and Predriver Applications in the 200 to 500 MHz Range.
PACKAGE STYLE .280" 4L STUD
A 45°
C
B
E B
E
FEATURES INCLUDE:
• Gold Metalization • 30:1 VSWR
E F
D
C J I
G
MAXIMUM RATINGS
IC VCB PDISS TSTG θJC
O
H K DIM A B C D E MINIMUM
inches / mm
#8-32 UNC MAXIMUM
inches / mm
2.2 A (CONT) 3.0 A (PEAK) 60 V 55 W @ TC = 25 C -65 C to +150 C 3.2 C/W
O O O
1.010 / 25.65 .220 / 5.59 .270 / 6.86 .003 / |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |