|
MRF1150MA даташитФункция этой детали – «(mrf1150ma/b) MICrowave Power Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRF1150MA | Tyco Electronics |
MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MRF1150MA/D
The RF Line
Microwave Pulse Power Transistor
Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. • Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 150 Watts Peak Minimum Gain = 7.8 dB • 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10:1 VSWR • Industry Standard Package • Nitride Passivated • Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Resi |
|
MRF1150MA | Motorola Semiconductors |
(MRF1150MA/B) MICROWAVE POWER TRANSISTORS
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MRF1150MA/D
The RF Line
Microwave Pulse Power Transistors
Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. • Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 150 Watts Peak Minimum Gain = 7.8 dB • 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10:1 VSWR • Industry Standard Package • Nitride Passivated • Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Li |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |