|
MPXL5010GC7U даташитФункция этой детали – «Integrated SilICon Pressure Sensor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MPXL5010GC7U | Motorola Semiconductors |
Integrated Silicon Pressure Sensor MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MPXL5010/D
Integrated Silicon Pressure Sensor On-Chip Signal Conditioned, Temperature Compensated and Calibrated
The MPXL5010 low profile series piezoresistive transducer is a state–of–the–art monolithic silicon pressure sensor designed for a wide range of applications, but particularly those employing a microcontroller or microprocessor with A/D inputs. This patented, single element transducer combines advanced micromachining techniques, thin–film |
Это результат поиска, начинающийся с "5010GC7U", "MPXL5010G" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MPXL5010G7U | Motorola Semiconductors |
Integrated Silicon Pressure Sensor MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MPXL5010/D
Integrated Silicon Pressure Sensor On-Chip Signal Conditioned, Temperature Compensated and Calibrated
The MPXL5010 low profile series piezoresistive transducer is a state–of–the–art monolithic silico |
|
MPXL5010G8U | Motorola Semiconductors |
Integrated Silicon Pressure Sensor MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MPXL5010/D
Integrated Silicon Pressure Sensor On-Chip Signal Conditioned, Temperature Compensated and Calibrated
The MPXL5010 low profile series piezoresistive transducer is a state–of–the–art monolithic silico |
|
NE6501077 | NEC |
10 W L / S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET PRELIMINARY DATA SHEET
GaAs MES FET
NE6501077
10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE6501077 is power GaAs FET which provides high gain, high efficiency and high output power in L, S band. To reduce thermal resistance, the device has a PHS (Plat |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |