|
MPSH17 даташитФункция этой детали – «(mpsxxxx) Rf-if High Frequency Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MPSH17 | SEMTECH |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor MPSH17
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
The transistor is subdivided into one group according to its DC current gain. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations.
TO-92 Plastic Package Weight approx. 0.19g
Absolute Maximum Ratings (T a = 25 oC)
Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Total Device Dissipation @ Ta=25? Derate above 25? Junction Temperature Storage Temperature Range
Symbol VCBO VCEO VEBO IC
Ptot
Tj TS
G |
|
MPSH17 | ON Semiconductor |
CATV Transistor MPSH17
Preferred Device
CATV Transistor
NPN Silicon
Features
• Pb−Free Package is Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating Collector −Emitter Voltage Collector −Base Voltage Emitter −Base Voltage Total Device Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage Junction Temperature Range Symbol VCEO VCBO VEBO PD TJ, Tstg Value 15 20 3.0 350 2.81 −55 to +150 Unit Vdc Vdc Vdc mW mW/°C °C
http://onsemi.com
COLLECTOR 3 1 BASE 2 EMITTER
MARKING DIAGRAM
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Thermal R |
|
MPSH17 | Motorola Semiconductors |
CATV Transistor MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MPSH17/D
CATV Transistor
NPN Silicon
COLLECTOR 3 1 BASE 2 EMITTER
MPSH17
Motorola Preferred Device
MAXIMUM RATINGS
Rating Collector – Emitter Voltage Collector – Base Voltage Emitter – Base Voltage Total Device Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage Junction Temperature Range Symbol VCEO VCBO VEBO PD TJ, Tstg Value 15 20 3.0 350 2.81 – 55 to +150 Unit Vdc Vdc Vdc mW mW/°C °C
1 2 3
CASE 29–04, STYLE 2 TO–92 (TO� |
|
MPSH17 | Micro Electronics |
(MPSxxxx) RF-IF High Frequency Transistors w
w
w
.d
e e h s a t a
. u t4
m o c
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |