|
MP4T80200 даташитФункция этой детали – «NPN Transistor Medium Power». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MP4T80200 | M-pulse Microwave |
NPN Transistor Medium Power M-Pulse Microwave
8 Volt, NPN Transistor Medium Power
Features
• • • High Performance at VCE = 8V 1.0 watts Class C at 900 MHz High fT (6GHz)
B a se B o n d P a d E m itte r B o n d Pad
MP4T80200
Die Outline MP4T80200
Description
The MP4T80200 series of our medium power high gain npn transistor has a power output of 1.0 watts at 900 MHz when operated in a class C environment. The typical applied voltage is from 6 to 10 volts, collector to emitter, with a 600mA max collector current. The MP4T802 family of transis |
Это результат поиска, начинающийся с "4T80200", "MP4T80" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MP4T80100 | M-pulse Microwave |
NPN Transistor Medium Power M-Pulse Microwave
8 Volt, NPN Transistor Medium Power
Features
• • • High Performance at VCE = 8V .5 watts Class C at 900 MHz High fT (6GHz)
MP4T80100
Die Outline MP4T80100
Description
The MP4T80100 series of our medium power high gain npn transistor has a power output of |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |