|
MN6076 даташит PDFЭто (mn60xx) Mos IC. На странице результатов поиска MN6076 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| MN6076 |  Matsushita Electric |
(MN60xx) MOS IC
ww.Datasheet26.comom
www.DataSheet4U 4U.com
DataSheet 4 U .com
ww.Datasheet26.comom
www.DataSheet4U 4U.com
DataSheet 4 U .com
|
 |
Это результат поиска, начинающийся с "6076", "MN6" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 1N6076 |  Microsemi |
ULTRA FAST RECOVERY GLASS POWER RECTIFIERS SCOTTSDALE DIVISION
1N6073 thru 1N6081
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS POWER RECTIFIERS
WWW.Microsemi .COM
DESCRIPTION
This “Ultrafast Recovery” rectifier diode series is military qualified to MIL-PRF19500/503 and is ideal for high-reliability applic |
 |
| 1N6076 |  Digitron Semiconductors |
Ultra Fast Rectifiers 1N6073-1N6081
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
Ultra Fast Rectifiers
FEATURES:
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number Available Non-RoHS (standard) |
|
| 1N6076 |  New Jersey Semiconductor |
Diode Switching 50V 6A 2-Pin Case E |
|
| 2N6076 |  Fairchild Semiconductor |
SILICON PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR DISCRETE POWER & SIGNAL TECHNOLOGIES
2N6076
SILICON PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BVCEO . . . . 25 V (Min) hFE . . . . 100 (Min) @ VCE = 10 V, IC = 10 mA
1 B 2 C 3 E 0.175 - 0.185 (4.450 - 4.700) LOGOXYY
1
2
3
0.135 - 0.145 (3.429 - 3.683)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1) TE |
|
| 2N6076 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Box |
|
| 2SC6076 |  Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6076
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6076
Power Amplifier Applications Power Switching Applications
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（IC = 1A） High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ)
Unit: mm
|
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |