DataSheet26.com


MN130S даташит

Функция этой детали – «SilICon Power Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MN130S Sanken
Sanken
  silicon power transistor

1. Scope MN130S The present specifications shall apply to Sanken silicon power transistor type MN130S. 2. ( 25 ) Absolute Maximum Ratings (Ta=25 ) Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Base Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg Rating 200 140 6 10 4 130 (Tc=25 ) 150 -55 150 Unit V V V A A W 3. ( 25 ) Electrical Characteristics (Ta=25 ) Limits TYP MAX 10 10 140 70 180 0.5
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "130S", "MN1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SJ130S Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon P-Channel MOS FET

2SJ130(L), 2SJ130(S) Silicon P-Channel MOS FET Application High speed power switching Features • • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators
pdf
30KP130S LGE
LGE

Glass passivated junction chip

30KP33S,SC SERIES 30K Watts TVS Diodes VR : 33 - 400 Volts PPK : 30,000 Watts Features — — — — — Glass passivated junction chip Excellent Clamping Capability Fast Response Time Low Leakage Current Pb / RoHS Free DO-204AR 0.251 (6.40) 0.244 (6.20) 1.00 (25.4) MIN. Mechan
pdf
30KP130SA LGE
LGE

Glass passivated junction chip

30KP33S,SC SERIES 30K Watts TVS Diodes VR : 33 - 400 Volts PPK : 30,000 Watts Features — — — — — Glass passivated junction chip Excellent Clamping Capability Fast Response Time Low Leakage Current Pb / RoHS Free DO-204AR 0.251 (6.40) 0.244 (6.20) 1.00 (25.4) MIN. Mechan
pdf
30KP130SC LGE
LGE

Glass passivated junction chip

30KP33S,SC SERIES 30K Watts TVS Diodes VR : 33 - 400 Volts PPK : 30,000 Watts Features — — — — — Glass passivated junction chip Excellent Clamping Capability Fast Response Time Low Leakage Current Pb / RoHS Free DO-204AR 0.251 (6.40) 0.244 (6.20) 1.00 (25.4) MIN. Mechan
pdf
30KP130SCA LGE
LGE

Glass passivated junction chip

30KP33S,SC SERIES 30K Watts TVS Diodes VR : 33 - 400 Volts PPK : 30,000 Watts Features — — — — — Glass passivated junction chip Excellent Clamping Capability Fast Response Time Low Leakage Current Pb / RoHS Free DO-204AR 0.251 (6.40) 0.244 (6.20) 1.00 (25.4) MIN. Mechan
pdf
CMPWR130S California Micro Devices Corp
California Micro Devices Corp

300mA SMARTOR Regulator with V Drive

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты