DataSheet26.com


MM5Z4V7B даташит

Функция этой детали – «SilICon Zener Diode ( Rectifier )».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MM5Z4V7B TAK CHEONG
TAK CHEONG
  Zener Voltage Regulators

TAK CHEONG ® SEMICON D UC TOR 200mW SOD-523 SURFACE MOUNT Very Small Outline Flat Lead Plastic Package Zener Voltage Regulators Absolute Maximum Ratings Symbol P PD TSTG TOPR Power Dissipation Storage Temperature Range Operating Temperature Range TA = 25°C unless otherwise noted Value 200 -55 to +150 -55 to +150 Units mW °C °C Green Product arameter These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired. SOD-523 Flat Lead Specification Features: ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ
pdf
MM5Z4V7B TAK CHEONG
TAK CHEONG
  Zener Voltage Regulators

® SEMICON D UC TOR 200mW SOD-523 SURFACE MOUNT Very Small Outline Flat Lead Plastic Package Zener Voltage Regulators Absolute Maximum Ratings Symbol P PD TSTG TOPR Power Dissipation Storage Temperature Range Operating Temperature Range TA = 25°C unless otherwise noted Value 200 -55 to +150 -55 to +150 Units mW °C °C Green Product arameter These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired. SOD-523 Flat Lead Specification Features: ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ Wide Zener
pdf
MM5Z4V7B SEMTECH
SEMTECH
  Silicon Zener Diode ( Rectifier )

MM5Z2V2B~MM5Z39B SILICON PLANAR ZENER DIODES FEATURES • Total power dissipation: max. 200 mW • Small plastic package suitable for surface mounted design • High reliability PINNING PIN 1 2 1 DESCRIPTION Cathode Anode 2 DESCRIPTION Silicon planar Zener diode in a small plastic SMD SOD-523 package Top View Simplified outline SOD-523 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range Characteristics at Ta = 25 OC Thermal Resistance Juncti
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты