|
MM53200 даташитФункция этой детали – «Encoder/decoder». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| MM53200 |  National |
Encoder/Decoder |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "53200", "MM53" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 53200 |  Micropac Industries |
SPDT SOLID-STATE RELAYS 53200 53203 53204
Features: • • • • • • •
SPDT SOLID-STATE RELAYS
Mii
MICROCIRCUITS PRODUCTS DIVISION
Applications: • • • • • Heater Load Switching Sensor Activation Remote Signal Activation Servo and synchro control High power switching
Replacements f |
 |
| LH532000B |  Sharp Electrionic Components |
CMOS 2M (256K x 8/128K x 16) MROM LH532000B
FEATURES • 262,144 words × 8 bit organization (Byte mode) 131,072 words × 16 bit organization (Word mode) • BYTE input pin selects bit configuration • Access times: 120/150 ns (MAX.) • Low-power consumption: Operating: 275 mW (MAX.) Standby: 550 µW (MAX.) |
|
| LH532000B-1 | Sharp Electrionic Components |
CMOS 2M (256K x 8/128K x 16) MROM LH532000B-1
FEATURES • 262,144 words × 8 bit organization (Byte mode) 131,072 words × 16 bit organization (Word mode) • Access time: 120 ns (MAX.) • Power consumption: Operating: 275 mW (MAX.) Standby: 550 µW (MAX.) • Mask-programmable control pin (for 40-pin DIP/40-pi |
|
| MSM532001B |  OKI Semiconductor |
262144 word x 8-Bit Mask ROM |
|
| TC532000P |  Toshiba |
2M BIT CMOS MASK ROM TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCT
2M BIT (256K M)RDX8 BIT) CMOS MASK ROM
SILICON GATE CMOS
TC532000P
DESCRIPTION
The TC532000P is a 2,097, 152 bits read only memory organized as 262, 144 words by 8 bits with a low bit cost thus being suitable for use in program memory of microprocess |
|
| MM5303 |  National Semiconductor |
Universal Fully Asynchronous Receiver/Transmitterr |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |