|
MJE13003B даташитФункция этой детали – «Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MJE13003B | SI Semiconductors |
TRANSISTORS Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
MJE
/MJE SERIES TRANSISTORS
Product Specification
MJE13003B
FEATURES
RoHS
■HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA RoHS COMPLIANT
APPLICATION: FLUORESCENT LAMP
ELECTRONIC BALLAST
SWITCH MODE POWER SUPPLY
Tc=25°C Absolute Maximum Ratings Tc=25°C TO-220/TO-220S
PARAMETER -
Collector-Base Voltage -
Collector-Emitter Voltage -
Emitter- Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL VCBO
VCEO
VALUE 600
4 |
|
MJE13003BR | Shenzhen SI Semiconductors |
TRANSISTORS 深圳深爱半导体股份有限公司 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书 Product Specification
NPN MJE 系列晶体管/MJE SERIES TRANSISTORS
MJE13003BR(H)
●特点:耐高压 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
●FEATURES:■HIGH VOLTAGE CAPABILITY ■HIGH SPEED SWITCHING ■WIDE SOA
●应用:节能灯 电子镇流器
●APPLICATION: ■FLUORESCENT LAMP
■ELECTRONIC BALLAST
●最大额定值(Tc=25°C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25°C) TO-126/126S
� |
|
MJE13003BRH | SI Semiconductors |
TRANSISTORS |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |