Datasheet MIP2E4DMY Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	MIP2E4DMY	Silicon MOS type integrated circuit (IPD) MIP2E4DMY MOS I 2.8±0.2 1.5±0.2 Unit : mm 10.5±0.5 9.5±0.2 8.0±0.2 6.7±0.3 • • 4.5±0.2 1.4±0.1 I 15.4±0.3 φ 3.7±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C 13.5±0.5 4.2±0.3 Solder Dip 1.4±0.1 (9.3) 2.5±0.2 0.6 +0.1 –0.2 0.8±0.1 VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700	Panasonic Semiconductor

MIP2E4 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
MIP2E4D	High-Performance IPD for Battery Chaegers IPD I IPD (MIP022X) IPD PWM 60 W IPD I G ( 12 V/3 A : 100 VAC : 100 VAC (MIP022X) : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 264 VAC ; 130 mW ; 60 G 0.3 W IPD MIP022X G I MOS FET VDSS MIP2E1D MIP2E2D MIP2E3D MIP2E4D MIP2E5D MIP2E7D ∼7W ∼ 10 W 10 W ∼ 20 W 15 W ∼ 30 W 20 W ∼ 40	Matsushita
MIP2E4DMY	Silicon MOS type integrated circuit (IPD) MIP2E4DMY MOS I 2.8±0.2 1.5±0.2 Unit : mm 10.5±0.5 9.5±0.2 8.0±0.2 6.7±0.3 • • 4.5±0.2 1.4±0.1 I 15.4±0.3 φ 3.7±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C 13.5±0.5 4.2±0.3 Solder Dip 1.4±0.1 (9.3) 2.5±0.2 0.6 +0.1 –0.2 0.8±0.1 VD VC ID I	Panasonic Semiconductor

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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