|
MGF1923 даташитФункция этой детали – «Tape Carrier Small Signal Gaas Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MGF1923 | Mitsubishi |
TAPE CARRIER SMALL SIGNAL GaAs FET |
Это результат поиска, начинающийся с "1923", "MGF1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1923 | Toshiba Semiconductor |
SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SA1923
High Voltage Switching Applications
2SA1923
Unit: mm
• High voltage: VCEO = −400 V • Low saturation voltage: VCE (sat) = −1 V (max)
(IC = −100 mA, IB = −10 mA)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics |
|
2SC1923 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor 2SC1923
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process)
2SC1923
High Frequency Amplifier Applications FM, RF, MIX, IF Amplifier Applications
Unit: mm
· Small reverse transfer capacitance: Cre = 0.7 pF (typ.) · Low noise figure: NF = 2.5dB (typ.) (f = 100 M |
|
2SC1923 | SeCoS |
NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente
2SC1923
0.02A , 40V NPN Plastic Encapsulated Transistor
RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
General purpose switching and amplification.
CLASSIFICATION OF hFE
Product-Rank 2SC1923-O
Range
70~140
2 |
|
2SC1923 | JCST |
NPN Transistor JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
2SC1923 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES z General Purpose Switching Application
TO – 92
1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol VCBO VCEO VEBO |
|
2SK1923 | Sanyo Semicon Device |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number:EN4312
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1923
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
· Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · High-speed diode (trr=120ns).
Package Dimensions
unit:mm
2052C
[2SK1923]
10.2 3.6 5.1
4.5 1.3
2.7 6.3
15.1
18. |
|
2SK1923 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1923
DESCRIPTION ·Drain Current ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage
: VDSS= 600V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Chopper regulator and motor drive
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=2 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |