DataSheet26.com


MGF1923 даташит

Функция этой детали – «Tape Carrier Small Signal Gaas Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MGF1923 Mitsubishi
Mitsubishi
  TAPE CARRIER SMALL SIGNAL GaAs FET

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1923", "MGF1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SA1923 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE TRANSISTOR

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1923 High Voltage Switching Applications 2SA1923 Unit: mm • High voltage: VCEO = −400 V • Low saturation voltage: VCE (sat) = −1 V (max) (IC = −100 mA, IB = −10 mA) Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics
pdf
2SC1923 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor

2SC1923 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) 2SC1923 High Frequency Amplifier Applications FM, RF, MIX, IF Amplifier Applications Unit: mm · Small reverse transfer capacitance: Cre = 0.7 pF (typ.) · Low noise figure: NF = 2.5dB (typ.) (f = 100 M
pdf
2SC1923 SeCoS
SeCoS

NPN Plastic Encapsulated Transistor

Elektronische Bauelemente 2SC1923 0.02A , 40V NPN Plastic Encapsulated Transistor RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES  General purpose switching and amplification. CLASSIFICATION OF hFE Product-Rank 2SC1923-O Range 70~140 2
pdf
2SC1923 JCST
JCST

NPN Transistor

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC1923 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z General Purpose Switching Application TO – 92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO
pdf
2SK1923 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

N-Channel Silicon MOSFET

Ordering number:EN4312 N-Channel Silicon MOSFET 2SK1923 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · High-speed diode (trr=120ns). Package Dimensions unit:mm 2052C [2SK1923] 10.2 3.6 5.1 4.5 1.3 2.7 6.3 15.1 18.
pdf
2SK1923 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK1923 DESCRIPTION ·Drain Current ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Chopper regulator and motor drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=2
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты