|
|
|
|
На странице результатов поиска MG5436 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
MG5436 даташит PDF |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | ||
| 1 | MG5436 | X-Band Magnetron E2V Technologies MG5436
X-Band Magnetron
The data should be read in conjunction with the Magnetron Preamble.
DESCRIPTION
Compact, rugged, lightweight, fixed frequency pulse magnetron, designed for marine radar applications.
GENERAL DATA
Electrical
Operating frequency . . . . . 9410 + 30
MHz
Typical peak output power . . . . . . 25
kW
Cathode . . . . . . . . . . . . indirectly heated
Heater voltage (see note 1) . . . . . . . 6.3
V
Heater current at 6.3 V (see note 2) . . . . 0.5
A
Cathode pre-heating time ( |
 E2V Technologies |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "MG" |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| MG-12232-3 | LCD Module TEIDEC LCD MODULE MG-12232-3
! Physical data
Item LCD type LCD duty LCD bias Viewing direction Module size (WxHxT) Viewing area (WxH) Number of dots Dot size (WxH) Dot pitch (WxH)
Co nt e nt s STN 1/32 1/5 6 56.1 x 29.2 x 5.5MAX (2.21" x 1.15" x 0.22"MAX) 49.1 x 19 (1.93" x 0.7 |
 TEIDEC |
 |
| MG-7010SA | SELECTABLE-OUTPUT PLL OSCILLATOR
Crystal oscillator SELECTABLE-OUTPUT PLL OSCILLATOR
MG-7010SA
• Can output one CPU frequency among 15 selections. • Reflow able, high-density mounting-type SMD. • Provided with output enable and stand-by function to allow low current consumption. • U |
 Epson Company |
|
| MG100G2JL1 | TRANSISTOR BJT POWER MODULE |
 Toshiba |
|
| MG100J1ZS40 | N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS) TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG100J1ZS40
High Power Switching Applications Motor Control Applications
MG100J1ZS40
Unit: mm
l High input impedance
l High spee
: tf = 0.35µs (max) trr = 0.15µs (max)
l Low saturation voltage : VCE (sat) = 3.5V (max)
l Enhancemen |
Toshiba |
|
| MG100Q1ZS40 | N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS) TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG100Q1ZS40
MG100Q1ZS40
High Power Switching Applications Chopper Applications
Unit: mm
l High input impedance l High speed : tf = 0.5µs (max)
trr = 0.5µs (max) l Low saturation voltage
: VCE (sat) = 4.0V (max) l Enhancement-mode l |
Toshiba |
|
| MG100Q2YK1 | TRANSISTOR MODULES |
 ETC |
|
| MG100Q2YS51A | N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
Toshiba |
|
| MG10Q6ES51A | N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
Toshiba |
|
| MG113P | 0.25m Sea of Gates and Customer Structured Arrays DATA SHEET
O K I A S I C P R O D U C T S
MG113P/114P/115P/73P/74P/75P 0.25µm Sea of Gates and Customer Structured Arrays
November 1999
s s –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– |
 OKI electronic componets |
|
| MG114P | 0.25m Sea of Gates and Customer Structured Arrays DATA SHEET
O K I A S I C P R O D U C T S
MG113P/114P/115P/73P/74P/75P 0.25µm Sea of Gates and Customer Structured Arrays
November 1999
s s –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– |
OKI electronic componets |
|
Ссылка Поделиться :
Последние обновления
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| 2N3904 | Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 Unisonic Technologies |
|
| NE555 | Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
 ST Microelectronics |
|
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |