|
MG100Q2YS51A даташитФункция этой детали – «N Channel Igbt (high Pwer Switching / Motor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MG100Q2YS51A | Toshiba |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
Это результат поиска, начинающийся с "100Q2YS51A", "MG100Q2YS" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MG100Q2YS11 | Toshiba |
GTR Module |
|
MG100Q2YS40 | Toshiba |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS) TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG100Q2YS40
High Power Switching applications Motor Control Applications
MG100Q2YS40
Unit: mm
l High input impedance l High speed : tf = 0.5µs (Max)
trr = 0.5µs (Max) l Low saturation voltage
: VCE (sat) = 4.0V (Max) l Enhancement-mod |
|
MG100Q2YS42 | Toshiba |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS) TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG100Q2YS42
MG100Q2YS42
High Power Switching Applications Motor Control Applications
l High input impedance l High speed : tf = 0.5µs (max)
trr = 0.5µs (max) l Low saturation voltage
: VCE (sat) = 4.0V (max) l Enhancement-mode l Incl |
|
MG100Q2YS50 | Toshiba |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS) TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG100Q2YS50
MG100Q2YS50
High Power Switching Applications Motor Control Applications
Unit: mm
l High input impedance l High speed : tf = 0.3µs (Max)
@Inductive Load l Low saturation voltage
: VCE (sat) = 3.6V (Max) l Enhancement-mode |
|
MG100Q2YS50A | Toshiba |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
MG100Q2YS51 | Toshiba |
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS) TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG100Q2YS51
MG100Q2YS51
High Power Switching Applications Motor Control Applications
Unit: mm
l High input impedance l High speed : tf = 0.3µs (Max)
@Inductive load l Low saturation voltage
: VCE (sat) = 3.6V (Max) l Enhancement-mode |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |