![]() |
ME4856 даташитФункция этой детали – «N-channel 30-v(d-s) Mosfet». |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
ME4856 | ![]() Matsuki |
N-Channel 30-V(D-S) MOSFET N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
The ME4856 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching , and low in-line power loss are needed in a very small outlin |
![]() |
ME4856-G | ![]() Matsuki |
N-Channel 30-V(D-S) MOSFET |
![]() |
[1]  
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |