MDV1525 даташит PDF

Это Single N-channel Trench Mosfet. На странице результатов поиска MDV1525 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей.

Показать результаты поиска

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
MDV1525	MagnaChip	Single N-channel Trench MOSFET MDV1525 – Single N-Channel Trench MOSFET 30V MDV1525 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 24A, 10.1mΩ General Description The MDV1525 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides high performance in on-state resistance, fast switching performance and excellent quality. MDV1525 is suitable for DC/DC converter and general purpose applications. Features VDS = 30V ID = 24A @VGS = 10V RDS(ON) < 10.1mΩ @VGS = 10V < 14.0mΩ @VGS = 4.5V 100% UIL Tested 100% Rg Tested DD DD DD DD D S SSG GS SS PDF

Это результат поиска, начинающийся с "1525", "MDV1"

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
1525AJ	Microsemi Corporation	REGULATING PULSE WIDTH MODULATOR SG1525A/SG2525A/SG3525A SG1527A/SG2527A/SG3527A REGULATING PULSE WIDTH MODULATOR DESCRIPTION The SG1525A/1527A series of pulse width modulator integrated circuits are designed to offer improved performance and lower external parts count when used to implement all types of switchi
2SA1525	Sanyo Semicon Device	PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number:EN2149A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1525/2SC3919 Switching Applications (with Bias Resistance) Applications · Switching circuits, inverter circuits, interface circuits, driver circuits. Features · On-chip bias resistance : R1=2.2kΩ, R2=2.
2SD1525	Toshiba Semiconductor	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) 2SD1525 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor) 2SD1525 High Current Switching Applications Unit: mm · High collector current: IC = 30 A · High DC current gain: hFE = 1000 (min) (VCE = 5 V, IC = 20 A) · Monolithic construction with
2SD1525	Inchange Semiconductor	Silicon NPN Darlington Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1525 DESCRIPTION ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min.)@ IC= 20A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO = 100V(Min.) APPLICATIONS ·Designed for high current switching
2STF1525	ST Microelectronics	Transistors 2STF1525 Low voltage high performance NPN power transistor Preliminary data Features ■ ■ ■ Very low collector-emitter saturation voltage High current gain characteristic Fast switching speed 4 3 2 1 Applications ■ ■ ■ ■ ■ ■ Emergency lig
2STL1525	ST Microelectronics	Low voltage high performance NPN power transistor 2STL1525 Low voltage high performance NPN power transistor Preliminary data Features ■ ■ ■ Very low collector-emitter saturation voltage High current gain characteristic Fast switching speed Applications ■ ■ ■ ■ ■ ■ Emergency lighting LE

[1]

Последние обновления

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
2N3904	Unisonic Technologies	Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.
NE555	ST Microelectronics	Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

введение сайта

Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении.

Index :

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L

  M    N    O    P    Q

DataSheet26.com | 2020 | Контакты