|
MDU3C-75 даташитФункция этой детали – «PDF». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MDU3603 | MagnaChip |
P-Channel Trench MOSFET MDU3603– Single P-Channel Trench MOSFET
MDU3603
Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -67A, 9.1mΩ
General Description
The MDU3603 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology to provide low on-state resistance.
This device is suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
DD DD
DD DD
Features
VDS = -30V ID = -67A @VGS = -10V RDS(ON) < 7.5mΩ @VGS = -20V < 9.1mΩ @VGS = -10V < 13.6mΩ @VGS = -5V
Applications
Load Switch General purpose app |
|
MDU3605 | MagnaChip |
P-Channel Trench MOSFET MDU3605– Single P-Channel Trench MOSFET
MDU3605
Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -35.6A, 17.0mΩ
General Description
The MDU3605 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology to provide low on-state resistance.
This device is suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Features
VDS = -30V ID = -35.6A @VGS = -10V RDS(ON) < 17.0mΩ @VGS = -10V < 27.0mΩ @VGS = -5V
Applications
Load Switch General purpose applications Smart Module for Not |
|
MDU3C | Data Delay Devices |
HCMOS-INTERFACED FIXED DELAY LINE MDU3C
TRIPLE, HCMOS-INTERFACED FIXED DELAY LINE (SERIES MDU3C)
FEATURES
• • • • • • Three independent delay lines Fits standard 14-pin DIP socket Low profile Auto-insertable Input & outputs fully CMOS interfaced & buffered 2 10 T L fan-out capability
I1 I2 I3 GND 1 3 5 7 14 12 10 8
data 3 ® delay devices, inc.
PACKAGES
VDD O1 O3 O5
I1 N/C I2 N/C I3 N/C GND
1 2 3 4 5 6 7
14 13 12 11 10 9 8
VDD N/C O1 N/C O2 N/C O3
MDU3C-xx MDU3C-xxA2 MDU3C-xxB2 MDU3C-xxM
DIP Gull-Wing J-Lead Military DIP
Military SM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |