DataSheet26.com


MDU3C-75 даташит

Функция этой детали – «PDF».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MDU3603 MagnaChip
MagnaChip
  P-Channel Trench MOSFET

MDU3603– Single P-Channel Trench MOSFET MDU3603 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -67A, 9.1mΩ General Description The MDU3603 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology to provide low on-state resistance. This device is suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs. DD DD DD DD Features VDS = -30V ID = -67A @VGS = -10V RDS(ON) < 7.5mΩ @VGS = -20V < 9.1mΩ @VGS = -10V < 13.6mΩ @VGS = -5V Applications Load Switch General purpose app
pdf
MDU3605 MagnaChip
MagnaChip
  P-Channel Trench MOSFET

MDU3605– Single P-Channel Trench MOSFET MDU3605 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -35.6A, 17.0mΩ General Description The MDU3605 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology to provide low on-state resistance. This device is suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs. Features VDS = -30V ID = -35.6A @VGS = -10V RDS(ON) < 17.0mΩ @VGS = -10V < 27.0mΩ @VGS = -5V Applications Load Switch General purpose applications Smart Module for Not
pdf
MDU3C Data Delay Devices
Data Delay Devices
  HCMOS-INTERFACED FIXED DELAY LINE

MDU3C TRIPLE, HCMOS-INTERFACED FIXED DELAY LINE (SERIES MDU3C) FEATURES • • • • • • Three independent delay lines Fits standard 14-pin DIP socket Low profile Auto-insertable Input & outputs fully CMOS interfaced & buffered 2 10 T L fan-out capability I1 I2 I3 GND 1 3 5 7 14 12 10 8 data 3 ® delay devices, inc. PACKAGES VDD O1 O3 O5 I1 N/C I2 N/C I3 N/C GND 1 2 3 4 5 6 7 14 13 12 11 10 9 8 VDD N/C O1 N/C O2 N/C O3 MDU3C-xx MDU3C-xxA2 MDU3C-xxB2 MDU3C-xxM DIP Gull-Wing J-Lead Military DIP Military SM
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты