DataSheet26.com


MDS3651 даташит

Функция этой детали – «Single P-channel Trench Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MDS3651 MagnaChip
MagnaChip
  Single P-Channel Trench MOSFET

MDS3651– Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -5.3A, 35mΩ MDS3651 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -6.0A, 35mΩ General Description The MDS3651 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology to provide low on-state resistance, high switching performance and excellent reliability Features  VDS = -30V  ID = -6.0A @ VGS = -10V  RDS(ON) <35m @ VGS = -10V <55m @ VGS = -4.5V Applications  Inverters  General purpose applications 5(D) 6(D) 7(D) 8(D) D 4(G) 3(S) 2(S) 1(S) G Absolute Maximum R
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3651", "MDS3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3651 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Thyristor SCR 200V 200A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve

pdf
2SC3651 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

Ordering number:EN1779A NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC3651 High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications · LF amplifiers, various drivers, muting circuit. Features · High DC current gain (hFE=500 to 2000). · High breakdown voltage (
pdf
2SC3651 Kexin
Kexin

Transistor

SMD Type Transistors NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SC3651 Features High DC current gain High breakdown voltage Low colleotor-to- emitter saturation voltage High VEBO (VEBO 15V) Very small size making it easy to provide high-density small-sized hybrid IC's. Absolut
pdf
2SK3651-01R Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

2SK3651-01R FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) Applications Switching regulators UPS (Uninterrupt
pdf
AK536512W ACCUTEK
ACCUTEK

524288 Word by 32 Bit CMOS Dynamic Random Access Memory

MICROCIRCUIT CORPORATION DESCRIPTION The Accutek AK536512W high density memory module is a CMOS dynamic RAM organized in 512K x 36 bit words. The module consists of sixteen standard 256K x 4 DRAMs in plastic SOJ packages and eight 256K x 1 DRAMs in PLCC packages. The assembly has
pdf
C3651 Sanyo
Sanyo

NPN Transistor - 2SC3651

Ordering number:EN1779A NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC3651 High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications · LF amplifiers, various drivers, muting circuit. Features · High DC current gain (hFE=500 to 2000). · High breakdown voltage (
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты