|
MDS1654 даташитФункция этой детали – «N-channel Trench Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MDS1654 | MagnaChip |
N-Channel Trench MOSFET MDS1654 – Single N-channel Trench MOSFET 30V
MDS1654
Single N-Channel Trench MOSFET 30V, 15A, 9.5mΩ
General Description
The MDS1654 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low on-state resistance, high switching performance and excellent reliability.
MDS1654 is suitable device for DC-DC Converters
and general purpose applications.
Features
à VDS = 30V à ID = 15A @VGS = 10V à RDS(ON)
< 9.5mΩ @VGS = 10V < 13.0mΩ @VGS = 4.5V
Applications
à DC-DC Converters
5(D) 6(D) 7(D) 8(D)
D
4(G)
|
Это результат поиска, начинающийся с "1654", "MDS1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1654 | Motorola Semiconductors |
Binary Counter |
|
2SA1654 | Sanyo Semicon Device |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors |
|
2SC1654 | NEC |
DISPLAY TUBE DRIVE /HIGH VOLTAGE SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
|
2SC1654 | Galaxy Semi-Conductor |
Silicon Epitaxial Planar Transistor BL Galaxy Electrical
Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
z High DC current gain:hFE=130(Typ) (VCE=3V,IC=15mA) z High voltage.
Production specification
2SC1654
Pb
Lead-free
APPLICATIONS
z Audio frequency general purpose amplifier applications. SOT-23
ORDERING INFORMA |
|
2SC1654 | Kexin |
NPN Silicon Epitaxial Transistor SMD Type
NPN Silicon Epitaxial Transistor 2SC1654
SOT-23
+0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1
Transistors IC
Unit: mm
+0.1 2.4-0.1
High voltage VCEO : 160V
+0.1 1.3-0.1
High DC current gain.hFE=130 typ.(VCE=3.0V,IC=15mA)
1
+0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1
2
0.55
0.4
Features
3
+0.05 |
|
2SC1654 | SeCoS |
NPN Epitaxial Planar Transistor 2SC1654
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
0.05A , 180V NPN Epitaxial Planar Transistor
FEATURE
SOT-23
A
3 3
High Frequency Power Amplifier Application Power Switching Applications
L
Top View
C B
1 2 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |