|
|
|
|
На странице результатов поиска MDD1752 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
MDD1752 даташит PDF |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | ||
| 1 | MDD1752 | N-Channel Trench MOSFET MDD1752– N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0mΩ
MDD1752
N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0mΩ
General Description
The MDD1752 uses advanced MagnaChip’s trench MOSFET Technology to provide high performance in onstate resistance, switching performance and reliability Low RDS(ON), low gate charge can be offering superior benefit in the application.
Features
VDS = 40V ID = 50A @VGS = 10V RDS(ON) < 8.0mΩ @ VGS = 10V < 10.5mΩ @ VGS = 4.5V
Applications
Inverters General purpose applications
D
G
http://www. |
 MagnaChip Semiconductor |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "MDD" |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| MDD310-14N1 | HIgh Power Diode Modules
MDD 310
High Power Diode Modules
IFRMS = 2x 480 A IFAVM = 2x 305 A VRRM = 800-2200 V
VRSM
V
900 1300 1500 1700 2100 2300
VRRM
V
800 1200 1400 1600 2000 2200
Type
MDD 310-08N1 MDD 310-12N1 MDD 310-14N1 MDD 310-16N1 MDD 310-20N1 MDD 310-22N1
312
3 2
1
S |
 IXYS Corporation |
 |
| MDD200-16N1 | High Power Diode Modules MDD 200
High Power Diode Modules
IFRSM = 2x 350 A IFAVM = 2x 224 A VRRM = 1400-2200 V
VRSM V
1500 1700 1900 2300
VRRM V
1400 1600 1800 2200
Type
MDD 200-14N1 MDD 200-16N1 MDD 200-18N1 MDD 200-22N1
3 1 2
2 1
3
E72873
Symbol IFRMS IFAVM IFSM
I2t
TVJ TVJM Tstg VI |
IXYS Corporation |
|
| MDD310-12N1 | HIgh Power Diode Modules
MDD 310
High Power Diode Modules
IFRMS = 2x 480 A IFAVM = 2x 305 A VRRM = 800-2200 V
VRSM
V
900 1300 1500 1700 2100 2300
VRRM
V
800 1200 1400 1600 2000 2200
Type
MDD 310-08N1 MDD 310-12N1 MDD 310-14N1 MDD 310-16N1 MDD 310-20N1 MDD 310-22N1
312
3 2
1
S |
IXYS Corporation |
|
| MDD95-18N1B | HIgh Power Diode Modules
Diode Modules
VRSM
V
900 1300 1500 1700 1900 2100 2300
VRRM
V
800 1200 1400 1600 1800 2000 2200
Type
MDD 95-08N1 B MDD 95-12N1 B MDD 95-14N1 B MDD 95-16N1 B MDD 95-18N1 B MDD 95-20N1 B MDD 95-22N1 B
MDD 95
IFRMS = 2x 180 A IFAVM = 2x 120 A VRRM = 800-2200 |
IXYS Corporation |
|
| MDD310-08N1 | HIgh Power Diode Modules
MDD 310
High Power Diode Modules
IFRMS = 2x 480 A IFAVM = 2x 305 A VRRM = 800-2200 V
VRSM
V
900 1300 1500 1700 2100 2300
VRRM
V
800 1200 1400 1600 2000 2200
Type
MDD 310-08N1 MDD 310-12N1 MDD 310-14N1 MDD 310-16N1 MDD 310-20N1 MDD 310-22N1
312
3 2
1
S |
IXYS Corporation |
|
| MDD56-12N1B | HIgh Power Diode Modules
Diode Modules
MDD 56
IFRMS = 2x 150 A IFAVM = 2x 95 A VRRM = 800-1800 V
VRSM
V
900 1300 1500 1700 1900
VRRM
V
800 1200 1400 1600 1800
Type
MDD 56-08N1 B MDD 56-12N1 B MDD 56-14N1 B MDD 56-16N1 B MDD 56-18N1 B
3 1 2 TO-240 AA
3
2
1
Symbol I
FRMS
IFAVM |
IXYS Corporation |
|
| MDD310 | HIgh Power Diode Modules
MDD 310
High Power Diode Modules
IFRMS = 2x 480 A IFAVM = 2x 305 A VRRM = 800-2200 V
3
VRSM V 900 1300 1500 1700 2100 2300 Symbol IFRMS IFAVM IFSM
VRRM V 800 1200 1400 1600 2000 2200
Type
3
1
2 1
2
MDD 310-08N1 MDD 310-12N1 MDD 310-14N1 MDD 310-16N1 |
IXYS Corporation |
|
| MDD95-14N1B | HIgh Power Diode Modules
Diode Modules
VRSM
V
900 1300 1500 1700 1900 2100 2300
VRRM
V
800 1200 1400 1600 1800 2000 2200
Type
MDD 95-08N1 B MDD 95-12N1 B MDD 95-14N1 B MDD 95-16N1 B MDD 95-18N1 B MDD 95-20N1 B MDD 95-22N1 B
MDD 95
IFRMS = 2x 180 A IFAVM = 2x 120 A VRRM = 800-2200 |
IXYS Corporation |
|
| MDD56-08N1B | HIgh Power Diode Modules
Diode Modules
MDD 56
IFRMS = 2x 150 A IFAVM = 2x 95 A VRRM = 800-1800 V
VRSM
V
900 1300 1500 1700 1900
VRRM
V
800 1200 1400 1600 1800
Type
MDD 56-08N1 B MDD 56-12N1 B MDD 56-14N1 B MDD 56-16N1 B MDD 56-18N1 B
3 1 2 TO-240 AA
3
2
1
Symbol I
FRMS
IFAVM |
IXYS Corporation |
|
| MDD2N60 | N-Channel Trench MOSFET MDD2N60/MDI2N60 N-channel MOSFET 600V
MDD2N60/MDI2N60
N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5Ω
General Description
These N-channel MOSFET are produced using advanced MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low onstate resistance, high switching performance and excellent qual |
 MagnaChip |
|
Ссылка Поделиться :
Последние обновления
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| 2N3904 | Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 Unisonic Technologies |
|
| NE555 | Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
 ST Microelectronics |
|
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |