DataSheet26.com



На странице результатов поиска MDD1752 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей.



MDD1752 даташит PDF

Номер в каталоге Описание Производители PDF
1 MDD1752   N-Channel Trench MOSFET

MDD1752– N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0mΩ MDD1752 N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0mΩ General Description The MDD1752 uses advanced MagnaChip’s trench MOSFET Technology to provide high performance in onstate resistance, switching performance and reliability Low RDS(ON), low gate charge can be offering superior benefit in the application. Features VDS = 40V ID = 50A @VGS = 10V RDS(ON) < 8.0mΩ @ VGS = 10V < 10.5mΩ @ VGS = 4.5V Applications Inverters General purpose applications D G http://www.
MagnaChip Semiconductor
MagnaChip Semiconductor
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "MDD"

Номер в каталоге Описание Производители PDF
MDD310-14N1

HIgh Power Diode Modules

MDD 310 High Power Diode Modules IFRMS = 2x 480 A IFAVM = 2x 305 A VRRM = 800-2200 V VRSM V 900 1300 1500 1700 2100 2300 VRRM V 800 1200 1400 1600 2000 2200 Type MDD 310-08N1 MDD 310-12N1 MDD 310-14N1 MDD 310-16N1 MDD 310-20N1 MDD 310-22N1 312 3 2 1 S
IXYS Corporation
IXYS Corporation
pdf
MDD200-16N1

High Power Diode Modules

MDD 200 High Power Diode Modules IFRSM = 2x 350 A IFAVM = 2x 224 A VRRM = 1400-2200 V VRSM V 1500 1700 1900 2300 VRRM V 1400 1600 1800 2200 Type MDD 200-14N1 MDD 200-16N1 MDD 200-18N1 MDD 200-22N1 3 1 2 2 1 3 E72873 Symbol IFRMS IFAVM IFSM I2t TVJ TVJM Tstg VI
IXYS Corporation
IXYS Corporation
pdf
MDD310-12N1

HIgh Power Diode Modules

MDD 310 High Power Diode Modules IFRMS = 2x 480 A IFAVM = 2x 305 A VRRM = 800-2200 V VRSM V 900 1300 1500 1700 2100 2300 VRRM V 800 1200 1400 1600 2000 2200 Type MDD 310-08N1 MDD 310-12N1 MDD 310-14N1 MDD 310-16N1 MDD 310-20N1 MDD 310-22N1 312 3 2 1 S
IXYS Corporation
IXYS Corporation
pdf
MDD95-18N1B

HIgh Power Diode Modules

Diode Modules VRSM V 900 1300 1500 1700 1900 2100 2300 VRRM V 800 1200 1400 1600 1800 2000 2200 Type MDD 95-08N1 B MDD 95-12N1 B MDD 95-14N1 B MDD 95-16N1 B MDD 95-18N1 B MDD 95-20N1 B MDD 95-22N1 B MDD 95 IFRMS = 2x 180 A IFAVM = 2x 120 A VRRM = 800-2200
IXYS Corporation
IXYS Corporation
pdf
MDD310-08N1

HIgh Power Diode Modules

MDD 310 High Power Diode Modules IFRMS = 2x 480 A IFAVM = 2x 305 A VRRM = 800-2200 V VRSM V 900 1300 1500 1700 2100 2300 VRRM V 800 1200 1400 1600 2000 2200 Type MDD 310-08N1 MDD 310-12N1 MDD 310-14N1 MDD 310-16N1 MDD 310-20N1 MDD 310-22N1 312 3 2 1 S
IXYS Corporation
IXYS Corporation
pdf
MDD56-12N1B

HIgh Power Diode Modules

Diode Modules MDD 56 IFRMS = 2x 150 A IFAVM = 2x 95 A VRRM = 800-1800 V VRSM V 900 1300 1500 1700 1900 VRRM V 800 1200 1400 1600 1800 Type MDD 56-08N1 B MDD 56-12N1 B MDD 56-14N1 B MDD 56-16N1 B MDD 56-18N1 B 3 1 2 TO-240 AA 3 2 1 Symbol I FRMS IFAVM
IXYS Corporation
IXYS Corporation
pdf
MDD310

HIgh Power Diode Modules

MDD 310 High Power Diode Modules IFRMS = 2x 480 A IFAVM = 2x 305 A VRRM = 800-2200 V 3 VRSM V 900 1300 1500 1700 2100 2300 Symbol IFRMS IFAVM IFSM VRRM V 800 1200 1400 1600 2000 2200 Type 3 1 2 1 2 MDD 310-08N1 MDD 310-12N1 MDD 310-14N1 MDD 310-16N1
IXYS Corporation
IXYS Corporation
pdf
MDD95-14N1B

HIgh Power Diode Modules

Diode Modules VRSM V 900 1300 1500 1700 1900 2100 2300 VRRM V 800 1200 1400 1600 1800 2000 2200 Type MDD 95-08N1 B MDD 95-12N1 B MDD 95-14N1 B MDD 95-16N1 B MDD 95-18N1 B MDD 95-20N1 B MDD 95-22N1 B MDD 95 IFRMS = 2x 180 A IFAVM = 2x 120 A VRRM = 800-2200
IXYS Corporation
IXYS Corporation
pdf
MDD56-08N1B

HIgh Power Diode Modules

Diode Modules MDD 56 IFRMS = 2x 150 A IFAVM = 2x 95 A VRRM = 800-1800 V VRSM V 900 1300 1500 1700 1900 VRRM V 800 1200 1400 1600 1800 Type MDD 56-08N1 B MDD 56-12N1 B MDD 56-14N1 B MDD 56-16N1 B MDD 56-18N1 B 3 1 2 TO-240 AA 3 2 1 Symbol I FRMS IFAVM
IXYS Corporation
IXYS Corporation
pdf
MDD2N60

N-Channel Trench MOSFET

MDD2N60/MDI2N60 N-channel MOSFET 600V MDD2N60/MDI2N60 N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5Ω General Description These N-channel MOSFET are produced using advanced MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low onstate resistance, high switching performance and excellent qual
MagnaChip
MagnaChip
pdf



Ссылка Поделиться :
[1] 

Последние обновления

Номер в каталоге Описание Производители PDF
2N3904

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
pdf
NE555

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

ST Microelectronics
ST Microelectronics
pdf

Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении.



Index : A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L    M    N    O    P    Q



DataSheet26.com    |   2020    |   Контакты