|
MAX2035 даташитФункция этой детали – «Ultrasound Variable Gain Amplifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MAX2035 | Maxim Integrated Products |
Ultrasound Variable Gain Amplifier
19-0630; Rev 0; 10/06
Ultrasound Variable-Gain Amplifier
General Description
The MAX2035 8-channel variable-gain amplifier (VGA) is designed for high linearity, high dynamic range, and low-noise performance targeting ultrasound imaging and Doppler applications. Each amplifier features differential inputs and outputs and a total gain range of typically 50dB. In addition, the VGAs offer very low output-referred noise performance suitable for interfacing with 10-bit ADCs. The MAX2035 VGA is optimized |
Это результат поиска, начинающийся с "2035", "MAX2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2035 | M/A-COM |
(203x) 3 DB Hybrid Couplers |
|
2N2035 | API Electronics |
(2N2xxx) Power Transistors w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
2SK2035 | Toshiba Semiconductor |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING/ ANALOG SWITCHING APPLICATIONS) |
|
APA2035 | Anpec Electronics Coropration |
Stereo 2.6W Audio Amplifier APA2035
Stereo 2.6W Audio Amplifier(With Gain Control)
Features
• •
Low operating current with 6mA Improved depop circuitry to eliminate turn-on transients in outputs
General Description
APA2035 is a monolithic integrated circuit, which provides internal gain control, and a |
|
AT-42035 | Agilent(Hewlett-Packard) |
Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor Technical Data
AT-42035
Features
• High Output Power: 21.0 dBm Typical P1 dB at 2.0␣ GHz 20.5 dBm Typical P1 dB at 4.0␣ GHz • High Gain at 1 dB Compression: 14.0 dB Typical G1 dB at 2.0␣ GHz 9.5 dB Typical G1 dB at 4. |
|
CPT12035 | Microsemi Corporation |
Schottky PowerMod |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |