DataSheet26.com


MAPLST2122-015CF даташит

Функция этой детали – «Rf Power Field Effect Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MAPLST2122-015CF Tyco Electronics
Tyco Electronics
  RF Power Field Effect Transistor

RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 15W, 28V 8/20/03 Preliminary MAPLST2122-015CF Features Designed for W-CDMA base station applications in the 2.1 to 2.2 GHz Frequency Band. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier power amplifier applications. Q Q Q Package Style 15W Output Power at P1dB (CW) 12dB Minimum Gain at P1dB (CW) W-CDMA Typical Performance: (28VDC, -45dBc ACPR, 5MHz offset, 4.096MHz BW) Q Output Power: 2.2W (typ.) Q Gain: 13dB (typ.) Q Efficiency: 17% (typ.)
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2122", "MAPLST2122-01"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SC2122 SavantIC
SavantIC

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2122 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Short switching times. ·High dielectric strength. APPLICATIONS ·For use in TV horizontal deflection stage PINNING(see fig.2) PIN 1 2 3 Ba
pdf
2SD2122 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon NPN Epitaxial

2SD2122(L)/(S), 2SD2123(L)/(S) Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) Outline DPAK 4 4 1 2 3 12 S Type 3 1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector L Type 2SD2122(L)/(S), 2SD2123(L)/(S) Absolute Maximum
pdf
2SD2122L Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon NPN Epitaxial

2SD2122(L)/(S), 2SD2123(L)/(S) Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) Outline DPAK 4 4 1 2 3 12 S Type 3 1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector L Type 2SD2122(L)/(S), 2SD2123(L)/(S) Absolute Maximum
pdf
2SD2122S Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon NPN Epitaxial

2SD2122(L)/(S), 2SD2123(L)/(S) Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) Outline DPAK 4 4 1 2 3 12 S Type 3 1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector L Type 2SD2122(L)/(S), 2SD2123(L)/(S) Absolute Maximum
pdf
AMN2122 AMIMON
AMIMON

WHDI Transmitter

AMN2120/2/3 WHDI™ Transmitter Family Data Sheet Version 0.1 Version 0.1 AMIMON Confidential i Important Notice Version 0.1 AMIMON Confidential ii Important Notice Important Notice AMIMON Ltd. reserves the right to make corrections, modifications, enhancements, improve
pdf
AP2122 BCD Semiconductor
BCD Semiconductor

EXTREMELY LOW NOISE LDO REGULATOR

HIGH SPEED, EXTREMELY LOW NOISE LDO REGULATOR General Description Features Data Sheet AP2122 The AP2122 series are positive voltage regulator ICs fabricated by CMOS process. Each of these ICs con- · Low Dropout Voltage at IOUT=100mA: 150mV Typical (Except 1.5V Version) si
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты